纳米多孔氮化镓基薄膜的制备及其相关应用的研究

发布时间：2020-12-28 05:06

　　半导体材料是一类导电性能介于绝缘体和导体之间、在微电子器件和集成电路等领域具有广泛应用的电子材料。到目前为止,半导体材料经历了以硅和锗为代表的第一代半导体材料、以砷化镓和磷化铟为代表的第二代半导体材料以及以氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料三个发展阶段。其中,第三代半导体材料是当前国内外最为热门的研究领域。第三代半导体材料可以用来制备主动元件和被动元件,在发光二极管（LEDs）、场效应晶体管、肖特基势垒二极管、激光器（LDs）、紫外探测器、透明薄膜晶体管、平面显示、气体传感器、太阳能电池等方面具有极为广阔的应用前景,是当前国际上热门的前沿研究领域。具有带隙宽（3.4 eV）、击穿电场高（3.5MV/cm）、理化性能稳定的GaN在发光二极管（LED）、场效应晶体管、肖特基势垒二极管、激光器（LD）、紫外探测器等领域已获得广泛应用。因此,其已成为第三代半导体材料的典型代表。GaN基器件的主要形态结构为薄膜器件。因此制备高质量的GaN基薄膜是制造高性能器件的必要条件。目前,GaN基薄膜主要以蓝宝石作为衬底通过有机金属化学气相沉积（MOCVD）方法制备... 

【文章来源】：山东大学山东省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：126 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

图１－１六方纤锌矿结构的ＧａＮ晶格结构??Ｆｉｇ．?１－１?Ｔｈｅ?Ｃｏｓｔａｌ?Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ｗｕｒｔｚｉｔｅ?ＧａＮ．??

图卜４?ＧａＮ／空气间隙分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）??Ｆｉｇ．?１－４?ＧａＮ／ａｉｒ－ｇａｐ?ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ?Ｂｒａｇｇ?ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ?（ＤＢＲ）．??

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【参考文献】：
期刊论文
[1]第三代半导体器件在新能源汽车(EV/HEV)上的应用[J]. 但昭学,郑泰山.  机电工程技术. 2016(02)
[2]第3代半导体氮化镓功率器件的发展现状和展望[J]. 曹峻松,徐儒,郭伟玲.  新材料产业. 2015(10)



本文编号：2943174