HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜

发布时间：2021-05-20 15:51

　　采用热丝化学气相沉积（HWCVD）技术在低温条件下（100℃）制备超薄（³0 nm）的硼掺杂硅薄膜。系统研究了氢稀释比例R_H对薄膜的微结构和电学性能的影响。当R_H由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;同时,薄膜的缺陷密度增加、霍尔迁移率降低。实验证实,当R_H=55⁷0时,超薄硅薄膜开始晶化,这是薄膜由非晶到纳米晶的转化区。快速热退火工艺进一步提高了薄膜导电率。在R_H=115、衬底温度为100℃沉积条件下,经过420℃、80 s退火,获得电导率为6.88 S/cm的超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜。 

【文章来源】：人工晶体学报. 2016,45(08)北大核心CSCD

【文章页数】：8 页

【文章目录】：
1 引言
2 实验
3 结果与讨论
    3.1 氢稀释比例RH对薄膜微结构的影响
    3.2 氢稀释比例RH对薄膜电学性能的影响
    3.3 快速热退火工艺对薄膜导电率的影响
4 结论



本文编号：3198026