MoS 2 /C 60 薄膜的制备及光电性质研究
发布时间：2021-10-30 08:01
作为二维材料,MoS2具有优异的光学、电学以及机械性能,而C60是一种优秀的电子传输材料,基于两种材料的优异特性,将MoS2与C60相结合。采用直流磁控溅射法获得前驱体Mo薄膜,然后采用化学气相沉积法对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS2薄膜,再采用真空蒸镀法在MoS2薄膜上沉积C60进而形成MoS2/C60薄膜,并且采用真空蒸镀法制备电极得到MoS2场效应管与Au/MoS2/C60/Al结构的异质结器件,主要进行了以下三个方面的研究:（1）制备了不同溅射功率条件下的前驱体Mo薄膜,通过台阶仪测得Mo薄膜厚度,进而通过厚度与时间的比值得到在14.4 W、9.6 W与4.8 W条件下薄膜沉积速率分别约为0.38?/s、0.24?/s与0.15?/s。制备了不同硫化退火温度、时间以及不同前驱体Mo薄膜条件下的MoS2
【文章来源】：北京工业大学北京市 211工程院校
【文章页数】：55 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
MoS2的三种晶体结构类型[15]
图 1-2 MoS2的能带结构[15]Fig.1-2 Band structures of MoS2[15]，MoS2的光吸收及荧光特性与其自身的厚度密切相关。 S.化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）法通过改（650℃）、双层（700℃）以及多层（750-800℃）MoS2薄膜光光度计研究了薄膜的光吸收特性。如图 1-3 所示，不同厚明显的吸收峰位于 605nm、655nm 附近。MoS2的荧光现象最 Splendiani 等人[18]发现，他们采用微机械剥离法剥离出不同厚得了其荧光光谱。如图 1-4 所示，虽然块状 MoS2没有荧光特度的减小，开始产生荧光现象，出现荧光特征峰，当厚度减小达到最强。研究这些特殊的光物理性质对于制作基于 MoS2的S2材料的理论分析计算有着重要的意义。
图 1-2 MoS2的能带结构[15]Fig.1-2 Band structures of MoS2[15]oS2的光吸收及荧光特性与其自身的厚度密切相关。气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）法通50℃）、双层（700℃）以及多层（750-800℃）MoS2光度计研究了薄膜的光吸收特性。如图 1-3 所示，不的吸收峰位于 605nm、655nm 附近。MoS2的荧光现ndiani 等人[18]发现，他们采用微机械剥离法剥离出不同其荧光光谱。如图 1-4 所示，虽然块状 MoS2没有荧减小，开始产生荧光现象，出现荧光特征峰，当厚度减最强。研究这些特殊的光物理性质对于制作基于 Mo料的理论分析计算有着重要的意义。
【参考文献】：
期刊论文
[1]磁控溅射法制备钼薄膜的研究现状[J]. 梁婷婷,王爱琴,赵海丽,谢敬佩. 电镀与涂饰. 2016(24)
[2]新颖半导体二硫化钼[J]. 袁明文. 半导体技术. 2013(03)
[3]MoS2基板上外延生长C60薄膜的分子动力学模拟[J]. 陈荣新,乌明奇,顾昌鑫. 真空科学与技术. 2002(05)
博士论文
[1]二硫化钼二维材料及其异质结的制备和光电特性研究[D]. 张克难.中国科学院研究生院(上海技术物理研究所) 2016
硕士论文
[1]红荧烯与C60、MoO3混合薄膜的光学性质研究[D]. 张紫佳.北京工业大学 2016
[2]C60和CdSe/CdS/ZnS量子点复合体系表面界面光电荷转移的研究[D]. 袁萌.河南大学 2015
本文编号：3466379
【文章来源】：北京工业大学北京市 211工程院校
【文章页数】：55 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
MoS2的三种晶体结构类型[15]
图 1-2 MoS2的能带结构[15]Fig.1-2 Band structures of MoS2[15]，MoS2的光吸收及荧光特性与其自身的厚度密切相关。 S.化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）法通过改（650℃）、双层（700℃）以及多层（750-800℃）MoS2薄膜光光度计研究了薄膜的光吸收特性。如图 1-3 所示，不同厚明显的吸收峰位于 605nm、655nm 附近。MoS2的荧光现象最 Splendiani 等人[18]发现，他们采用微机械剥离法剥离出不同厚得了其荧光光谱。如图 1-4 所示，虽然块状 MoS2没有荧光特度的减小，开始产生荧光现象，出现荧光特征峰，当厚度减小达到最强。研究这些特殊的光物理性质对于制作基于 MoS2的S2材料的理论分析计算有着重要的意义。
图 1-2 MoS2的能带结构[15]Fig.1-2 Band structures of MoS2[15]oS2的光吸收及荧光特性与其自身的厚度密切相关。气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）法通50℃）、双层（700℃）以及多层（750-800℃）MoS2光度计研究了薄膜的光吸收特性。如图 1-3 所示，不的吸收峰位于 605nm、655nm 附近。MoS2的荧光现ndiani 等人[18]发现，他们采用微机械剥离法剥离出不同其荧光光谱。如图 1-4 所示，虽然块状 MoS2没有荧减小，开始产生荧光现象，出现荧光特征峰，当厚度减最强。研究这些特殊的光物理性质对于制作基于 Mo料的理论分析计算有着重要的意义。
【参考文献】：
期刊论文
[1]磁控溅射法制备钼薄膜的研究现状[J]. 梁婷婷,王爱琴,赵海丽,谢敬佩. 电镀与涂饰. 2016(24)
[2]新颖半导体二硫化钼[J]. 袁明文. 半导体技术. 2013(03)
[3]MoS2基板上外延生长C60薄膜的分子动力学模拟[J]. 陈荣新,乌明奇,顾昌鑫. 真空科学与技术. 2002(05)
博士论文
[1]二硫化钼二维材料及其异质结的制备和光电特性研究[D]. 张克难.中国科学院研究生院(上海技术物理研究所) 2016
硕士论文
[1]红荧烯与C60、MoO3混合薄膜的光学性质研究[D]. 张紫佳.北京工业大学 2016
[2]C60和CdSe/CdS/ZnS量子点复合体系表面界面光电荷转移的研究[D]. 袁萌.河南大学 2015
本文编号：3466379
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