等离子体射流薄膜沉积对微放电抑制的研究

发布时间：2021-11-03 09:53

　　高压直流GIL/GIS设备生产、组装及运行过程中产生的金属微粒在较高的电场应力作用下易荷电并发生启举运动,并且金属微粒在电极间运动的过程中极易诱发局部微放电甚至造成绝缘介质击穿,严重影响GIL/GIS设备的安全稳定运行。在金属微粒的治理方法中,电极表面覆膜法由于具有简便、有效的优势而愈发受到关注,其中PECVD（等离子体增强化学气相沉积）法能够在材料表面快速制备高质量的功能性薄膜,因此本文尝试使用等离子体射流在Cu电极表面沉积TiO₂-SiO₂复合薄膜并探究其对金属微粒启举和微放电的抑制作用。本文首先通过等离子体射流在Cu和PMMA表面沉积SiO₂薄膜对薄膜沉积过程进行了探究,实验通过改变O₂和N₂的流量对放电强度和薄膜特性进行调节,并根据不同参数下的测量结果分析了影响薄膜沉积的主要因素,为功能性薄膜的制备提供了实验指导。随后,在Cu表面快速沉积了与基底结合紧密的TiO₂-SiO₂复合薄膜,并分别通过金属微粒启举测试系统和COMSOL... 

【文章来源】：郑州大学河南省 211工程院校

【文章页数】：84 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

等离子体射流在各领域的应用

料的改性方法主要有：化学镀、电镀等[27]，针对绝缘材料的改性方法主要离子体处理等[28]。等离子体对材料表体系中包含数量巨大的高能活性粒子基，能够打开大部分材料表面的化学反应，并生成新的具有特殊性质的基理引入 OH、-COOH 等亲水性基团，时，在对材料表面进行改性处理的过表面的轰击作用能够显著改变材料表的转变[29]。与其他材料表面处理方法便、产生有害物较少以及处理效率高的过程中由于对材料处理厚度较小，可实现材料表面性质的转变。另外，免对部分不耐高温材料的损伤，为材

DBD薄膜沉积原理

【参考文献】：
期刊论文
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博士论文
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本文编号：3473485