二硒化钨薄膜的CVD法可控制备及性能研究

发布时间：2022-02-15 20:47

　　石墨烯的发现和大规模的制备以及应用,打开了人们对于二维材料领域的研究思路。其中过渡金属硫属化合物（TMDCs）最为受到研究者的关注。与石墨烯相比,单层过渡金属硫属化合物,如MoS₂、MoSe₂、WS₂和WSe₂都是直接带隙半导体,填补了石墨烯带隙为零的缺点。单层TMDCs薄膜是直接带隙半导体材料,单层到多层TMDCs材料的禁带宽度变化范围为1.1².1eV,其禁带宽度根据层数的变化可调,硅材料的禁带宽度为1.1eV。由于其具有优异的电学与光学性能,同时这类材料具备半导体特性,从而使得过渡金属硫属化合物有望成为继石墨烯之后的新型半导体材料。MoS₂作为过渡金属硫属化物的代表,其合成方法和相关应用都得到广泛的研究,而到目前为止有关WSe₂的报道和研究相对较少。单层WSe₂为禁带宽度为1.64eV左右的直接带隙半导体,同时具有优异的电学与光学性能,使其可以满足作为电学器件与光学器件的大部分需求。并且与其他过渡金属硫属化... 

【文章来源】：电子科技大学四川省211工程院校985工程院校教育部直属院校

【文章页数】：73 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

过渡金属和三种硫族元素组成的过渡金属硫属化合物

WSe2结构示意图

WSe2材料多型结构示意图：2H（两层原子为一个重复单元，六方对称，为三角棱柱配位），3R（三层原子为一个重复单元，菱形对称，为三角棱柱配位），

【参考文献】：
硕士论文
[1]层状过渡金属硫化物及其纳米带特性的第一性原理研究[D]. 张志祥.华东师范大学 2016



本文编号：3627244