原位XPS分析Al 2 O 3 作为势垒层的Er 2 O 3 /Si结构
发布时间：2022-02-16 20:15
在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积（PLD）技术制作了Er2O3/Al2O3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱（XPS）研究了Al2O3作为势垒层的Er2O3与Si界面的电子结构。XPS结果表明,Al2O3中Al的2p芯能级峰在低、高温退火前后没有变化;Er的4d芯能级峰来自于硅酸铒中的铒,并非全是本征氧化铒薄膜中的铒;衬底硅的芯能级峰在沉积Al2O3时没有变化,说明Al2O3薄膜从沉积到退火不参与任何反应,与Si界面很稳定;在沉积Er2O3薄膜和退火过程中,有硅化物生成,表明Er2O3与Si的界面不太稳定,但随着Al2O3薄膜厚度的增加...
【文章来源】：半导体技术. 2017,42(05)北大核心CSCD
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
0 引言
1 实验
1.1 硅片的清洗
1.2 靶材、样品托和腔室的处理
1.3 沉积和测量
2 结果与讨论
2.1 薄膜厚度的计算
2.2 Er2O3/Al2O3/Si界面结构
3 结论
【参考文献】：
期刊论文
[1]Optical constants of Er2O3-Al2O3 films studied by spectroscopic ellipsometry[J]. 朱燕艳,方泽波,徐闰. Journal of Rare Earths. 2011(10)
[2]Structural and optical properties of Er2O3 films[J]. 朱燕艳,方泽波,刘永生. Journal of Rare Earths. 2010(05)
[3]Leakage current mechanisms of ultrathin high-κ Er2O3 gate dielectric film[J]. 武德起,姚金城,赵红生,常爱民,李锋. 半导体学报. 2009(10)
本文编号：3628590
【文章来源】：半导体技术. 2017,42(05)北大核心CSCD
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
0 引言
1 实验
1.1 硅片的清洗
1.2 靶材、样品托和腔室的处理
1.3 沉积和测量
2 结果与讨论
2.1 薄膜厚度的计算
2.2 Er2O3/Al2O3/Si界面结构
3 结论
【参考文献】：
期刊论文
[1]Optical constants of Er2O3-Al2O3 films studied by spectroscopic ellipsometry[J]. 朱燕艳,方泽波,徐闰. Journal of Rare Earths. 2011(10)
[2]Structural and optical properties of Er2O3 films[J]. 朱燕艳,方泽波,刘永生. Journal of Rare Earths. 2010(05)
[3]Leakage current mechanisms of ultrathin high-κ Er2O3 gate dielectric film[J]. 武德起,姚金城,赵红生,常爱民,李锋. 半导体学报. 2009(10)
本文编号：3628590
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