外部温度对二氧化钒临界相变电场影响的研究

发布时间：2022-05-08 10:44

　　通过无机溶胶-凝胶法和真空退火工艺在Al2O3陶瓷基片上制备出VO2薄膜,通过在薄膜上施加高电压,并结合温度控制系统的方法,研究相变过程中外部温度对二氧化钒临界相变电场的影响。结果表明:当外部温度从63.5℃增加到66℃时,相变需要的临界电场强度从0.17 MV/m下降到0.065 MV/m;随着外加电场强度由0.075 MV/m增加到0.2 MV/m时,相变临界温度从66℃降低到63.5℃,这说明VO2薄膜的相变存在温度与电场互相调控的现象;其相变行为由温度产生的电子热运动能和外场产生的电势能协同控制,但温度与电场的协同效应并非简单的叠加关系,即外界温度越低,温度对相变电场调控的效果越明显,外部电场强度越低,对相变温度的调控越明显;当外加温度为64~68℃,VO2薄膜相变需要的外部电场强度小于0.1 MV/m,满足智能电磁防护材料的要求。这为VO2薄膜应用于智能电磁防护材料提供可能性。 

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【文章目录】：
1 实验
    1.1 五氧化二钒溶胶的制备
    1.2 基片的清洗
    1.3 提拉镀膜
    1.4 预退火处理
    1.5 真空退火处理
2 高电压测试系统的设计
3 结果及分析
    3.1 外部温度对VO2临界电场的影响
    3.2 VO2薄膜满足电磁防护材料的要求
    3.3 外部电场对VO2相变温度的影响
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]硅基二氧化钒相变薄膜电学特性研究[J]. 熊瑛,文岐业,田伟,毛淇,陈智,杨青慧,荆玉兰.  物理学报. 2015(01)
[2]金属Pt薄膜上二氧化钒的制备及其电致相变性能研究[J]. 邱东鸿,文岐业,杨青慧,陈智,荆玉兰,张怀武.  物理学报. 2013(21)
[3]智能电磁防护材料及技术研究进展[J]. 雷忆三,孙丽君.  现代工业经济和信息化. 2012(18)
[4]气体绝缘组合电器尖端放电发展过程的试验研究[J]. 王彩雄,唐志国,常文治,郑书生,李成榕.  电网技术. 2011(11)



本文编号：3651510