蒸发电流对CdSe薄膜的结晶性能影响研究

发布时间：2017-06-24 07:01

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【摘要】：采用真空热蒸发技术,选取系列蒸发电流在光学玻璃基底上制备出Cd Se薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜对样品的结构和表面形貌进行了表征。结果显示:蒸发电流为75 A时,Cd Se薄膜沿(002)方向择优生长,衍射峰较强,半峰宽较小,晶粒(约48 nm)分布较均匀,表面粗糙度低(5.58 nm),无裂纹。蒸发电流不改变薄膜的结晶取向,但电流过低时,薄膜的表面颗粒轮廓模糊且有间隙,结晶性差;电流高于75 A时,随电流升高,薄膜结晶性逐步降低,颗粒变小,半峰宽变大,部分样品表面晶粒生长不完整,表面出现裂纹。
【作者单位】： 西华师范大学物理与空间科学学院;中国科学院国家天文台;
【关键词】： CdSe薄膜 热蒸发 蒸发电流 结晶
【基金】：四川省科技厅应用基础项目(2014JY0133) 中国科学院太阳活动重点实验室开放课题(KLSA201514)
【分类号】：O484.4
【正文快照】： (Received 22 April 2016,accepted 20 July 2016)1引言Cd Se是一种典型的直接跃迁的宽带隙II-VI族化合物半导体材料,因其禁带宽度(1.74 e V)与太阳光谱中可见光的波段相匹配,且具有独特的光电性能而被广泛关注[1-3]。采用不同方法制备出不同结构、维度、形态的Cd Se材料在光

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