3ω法测量钛酸钡薄膜的热导率
本文关键词:3ω法测量钛酸钡薄膜的热导率
【摘要】:电子设备小型化带来的热效应问题,使得提高薄膜材料热导率和降低薄膜与基底的界面热阻成为提高薄膜器件可靠性的关键因素,因此测量薄膜器件热性能成为了电子工业中愈发重要的课题。钙钛矿结构的钛酸钡作为一种高介电常数材料,在电子工业中被广泛使用。通过建立一套3ω法测试系统,测试了使用高分子辅助沉积法在SiO_2薄膜上沉积的钛酸钡薄膜样品的热导率,并通过不同厚度薄膜热阻与热导率的关系,计算出钛酸钡薄膜的热导率为5.63 W/mK,钛酸钡与SiO_2的界面热阻为2.13×10~(-8)m~2W/K。
【作者单位】: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;东莞电子科技大学电子信息工程研究院;
【关键词】: ω法 钛酸钡 热导率 界面热阻
【基金】:国家自然科学基金资助项目(51372034) 广东省创新团队(201001D0104713329)
【分类号】:O484.4
【正文快照】: 1前言 钛酸钡(Barium Titanate)是一种钙钛矿结构的无机化合物,熔点为1618℃,拥有高介电常数和低介电损耗的优良特性,是一种在电子陶瓷工业中被广泛使用的材料。 其晶体结构在不同温度下表现出不同的形式。钛酸钡晶体的相变是由于钛离子相对氧阴离子在晶格中位置的变化造成
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前7条
1 武光明,朱江;钛酸钡薄膜的喷雾热分解方法制备及PTC效应研究[J];北京石油化工学院学报;2003年01期
2 陈庆东;胡晓亮;李立本;;梯度应变对钛酸钡薄膜介电行为的影响[J];河南科技大学学报(自然科学版);2009年06期
3 印志强;;溶胶-凝胶法制备锆钛酸钡薄膜的研究[J];黑龙江科技信息;2009年07期
4 刘爱青;元光;顾长志;;钛酸钡薄膜的制备及其场发射特性研究[J];真空电子技术;2006年01期
5 申玉双;杨芙丽;许新芳;翟学良;;Sol-甩膜法制备钛酸钡薄膜及其微观形态的SPM研究[J];河北省科学院学报;2008年04期
6 郑新芳;李俊峰;;退火温度对BaTiO_3薄膜的结构和介电性能的影响[J];化工时刊;2008年02期
7 ;[J];;年期
中国重要会议论文全文数据库 前6条
1 梁伟正;;高分子辅助沉积在镍基片上生长钛酸钡薄膜及其磁电性能研究[A];2011中国材料研讨会论文摘要集[C];2011年
2 李纪标;施民梅;杨芙丽;翟学良;;螯合剂对钛酸钡薄膜表面形貌的影响[A];第十三届全国电子显微学会议论文集[C];2004年
3 申玉双;翟学良;伊赞荃;李纪标;;气相法掺铅钛酸钡薄膜的微观形态变化[A];2005年全国电子显微学会议论文集[C];2005年
4 郭强;吴昊;刘建华;李松梅;于美;;不锈钢表面电泳沉积钛酸钡薄膜工艺研究[A];2009中国功能材料科技与产业高层论坛论文集[C];2009年
5 朱涛;韩高荣;丁子上;;溶胶-凝胶法制备钛酸钡薄膜[A];第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1995年
6 曹海霞;李振亚;;钛酸钡薄膜材料的电熵效应[A];苏州市自然科学优秀学术论文汇编(2008-2009)[C];2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前9条
1 刘志鹏;掺杂钛酸钡薄膜的合成及性能研究[D];华东师范大学;2010年
2 王胜凯;分子动力学研究钛酸钡薄膜铁电相变[D];哈尔滨工业大学;2009年
3 刘爱青;可低压驱动的钛酸钡薄膜场发射研究[D];中国海洋大学;2006年
4 袁美玲;耐高压、高储能密度钛酸钡薄膜电容器的中温制备[D];山东大学;2014年
5 高婉丽;Zn-Mn共掺钛酸钡薄膜的化学溶液法制备与特性研究[D];华东师范大学;2012年
6 梁伟正;高分子辅助沉积法在镍基片上生长钛酸钡薄膜的研究[D];电子科技大学;2012年
7 胡晓亮;梯度应变对钛酸钡薄膜介电行为的影响与量子操作的实现[D];河南科技大学;2009年
8 陈海涛;钛酸钡系钙钛矿结构薄膜的制备和性能[D];河南大学;2006年
9 杨光;钛酸钡薄膜的阻变开关现象和负微分电阻现象的研究[D];河南大学;2014年
,本文编号:529293
本文链接:https://www.wllwen.com/guanlilunwen/gongchengguanli/529293.html