射频磁控溅射法制备SnS薄膜及其结构和光学特性

发布时间：2017-07-14 11:20

  本文关键词：射频磁控溅射法制备SnS薄膜及其结构和光学特性

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【摘要】：利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜并对其进行快速退火处理,利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、X射线能量色散谱(EDS)、原子力显微镜(AFM)和紫外-可见-近红外(UV-Vis-NIR)分光光度计研究了不同溅射功率(60~120 W)条件下制备的SnS薄膜的晶体结构、物相组成、化学组分、表面形貌以及有关光学特性。结果表明:经快速退火的薄膜均已结晶,提高溅射功率有利于改善薄膜的结晶质量、生长择优取向程度和化学配比,薄膜的平均颗粒尺寸呈增大趋势;溅射功率为100 W的薄膜样品的结晶质量和择优取向度高,薄膜应变最小,且为纯相SnS薄膜,Sn/S组分的量比为1∶1.09,吸收系数达10~5cm~(-1)量级,直接禁带宽度为1.54 eV。
【作者单位】： 合肥工业大学电子科学与应用物理学院;合肥工业大学化学与化工学院;
【关键词】： SnS薄膜 射频磁控溅射 快速退火 晶体结构 光学特性
【基金】：国家自然科学基金(51272061)资助项目
【分类号】：TQ134.32;TB383.2
【正文快照】： 1引言近年来,许多金属硫化物已成为新型太阳能电池的光吸收材料,而其中二元锡硫化合物Sn S备受关注。Sn S具有诸多优点,如化学组成简单、原料来源丰富且无毒[1-2]、直接禁带宽度(1.3~1.5 e V[3])接近太阳能电池的最佳禁带宽度(1.5e V)、理论转换效率高达25%[4]、在可见光范围

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1 刘玉杰;胡艳;杨程;叶迎华;沈瑞琪;李创新;;射频磁控溅射法制备硼薄膜[J];火工品;2013年01期

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本文编号：540895