硅基锗薄膜的红外吸收谱和电学特性

发布时间：2017-07-26 08:10

  本文关键词：硅基锗薄膜的红外吸收谱和电学特性

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【摘要】：为了解退火对硅基锗薄膜的质量、红外吸收、透射率和电学性质的影响,采用分子束外延方法用两步法在硅基上生长锗薄膜。将生长后的样品分成两部分,其中一部分进行了退火处理。对退火前后的样品用高分辨X射线双晶衍射仪测量了(400)晶面的X射线双晶衍射摇摆曲线,用傅里叶红外光谱仪测量了红外透射率和吸收谱,并用霍尔效应仪测量了退火前后样品的载流子浓度、迁移率、电阻率、电导率和霍尔系数。结果表明,退火后的薄膜质量明显提高。退火后大部分区域吸收增大,透射率明显减小,615~3 730 cm-1区间的透射率均比退火前降低了20%以上。退火后的体载流子浓度增大到退火前的23.26倍,迁移率增大到退火前的27.82倍。
【作者单位】： 内蒙古工业大学理学院;上海海事大学文理学院;乌兰察布广播电视台;
【关键词】： 硅基锗薄膜 红外吸收谱 载流子浓度 迁移率 电导率
【基金】：国家自然科学基金(11272142,51261017,11562016,61366008) 内蒙古自治区自然科学基金(2013MS0107) 内蒙古工业大学校重点项目(ZD201220)资助
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 1引言锗具有优异的物理、化学特性,是制造红外探测器、光导纤维、高速微电子器件、集成电路和热电设备的首选材料之一。电阻率均匀的锗单晶材料在1~3μm、3~5μm、8~12μm的红外波段对光有较高的透过率,可用作红外光学器件和棱镜[1]。此外,半导体锗在常规光通信波段1.3~1.6μm

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