利用椭偏仪研究氢气退火处理对ZnO-Ga薄膜光学性能的影响（英文）

发布时间：2017-07-27 18:12

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【摘要】：通过溶胶凝胶技术制备了不同Ga掺杂含量的Zn O透明导电薄膜,研究了Ga掺杂对GZO薄膜结构、电学及光学性能的影响.从X射线衍射光谱分析,所有薄膜均表现为六方纤锌矿结构,经过氢气退火处理之后,薄膜的电学性能均得到提高,当Ga掺杂含量为5 at%时,得到薄膜的电阻率为3.410×10-3Ω·cm.利用可变入射角椭圆偏振光谱仪(VASE)在270~1 600 nm波长范围内研究了GZO薄膜折射率和消光系数的变化,采用双振子模型对实验数据进行拟合.
【作者单位】： 兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室;
【关键词】： GZO薄膜 氢处理 椭圆偏振光谱仪 双振子模型
【基金】：Supported by the National Natural Science Foundation of China(51371093) Program for Changjiang Scholars and Innovative Research Team in University(IRT1251)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： IntroductionTransparent conductive oxide(TCO)thin filmshave been widely used in optoelectronic industry,suchas displays,organic light-emitting diodes,solar cells,piezoelectric transducers,gas sensors,and other optoe-lectronic devices[1-5].Among the vario

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本文编号：582717