退火处理对ZnO薄膜压敏性能的影响

发布时间：2017-08-23 21:09

  本文关键词：退火处理对ZnO薄膜压敏性能的影响

  更多相关文章： 无机非金属材料 ZnO基陶瓷薄膜 射频磁控溅射 退火温度

【摘要】：采用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上生长ZnO基陶瓷薄膜,分别在650℃,750℃,850℃和900℃下退火,研究了退火温度对ZnO基陶瓷薄膜压敏性能的影响。结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的压敏电压逐渐增大,非线性系数先增大后减小,漏电流密度先减小后增大。850℃退火处理后的薄膜具有较为理想的综合电性能,其非线性系数为14.93,压敏电压为4.82 V,漏电流密度为0.36μA/mm~2。
【作者单位】： 江苏大学机械工程学院;
【关键词】： 无机非金属材料 ZnO基陶瓷薄膜 射频磁控溅射 退火温度
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： ZnO薄膜电阻具有高非线性系数、低漏电流和高浪涌吸收能力等优点,在上世纪七十年代已经应用在电器设备的高压防护方面,如抑制电力系统防雷过电压和操作过电压等领域[1_5]。近年来,随着电子计算机、家用电器、通讯技术、汽车电子工业、超大规模集成电路等方面的发展,各种电子元

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前3条

1 王玉林,赵晓华;碳纤维水泥基复合材料的正、负压敏性及其机理分析[J];复合材料学报;2005年04期

2 孙洪波;邱玉平;叶效;杨娟;徐东;;ZnO膜结构材料的压敏性能研究进展[J];电瓷避雷器;2012年01期

3 ;[J];;年期

，

本文编号：727308