基于射频磁控溅射法制备ZnO薄膜研究

发布时间：2017-08-29 02:12

  本文关键词：基于射频磁控溅射法制备ZnO薄膜研究

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【摘要】：研究射频磁控溅射法制备ZnO薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究溅射功率、溅射时间和退火温度对薄膜微结构特性的影响,并分析ZnO薄膜阻变特性。实验结果表明,沉积态薄膜择优取向为〈002〉晶向,随溅射功率和退火温度增加,择优取向显著增强,溅射功率120 W时薄膜生长速率可达4.8 nm/min,薄膜厚度92 nm的ZnO薄膜具有阻变特性且开关比可达104。
【作者单位】： 黑龙江大学黑龙江省高校电子工程重点实验室;黑龙江大学化学化工与材料学院;
【关键词】： ZnO薄膜 射频磁控溅射 微结构 阻变特性
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61471159) 黑龙江大学青年科学基金资助项目(QL201408)
【分类号】：TQ132.41;TB383.2
【正文快照】： 0引言对Zn O的研究最早可以追溯到1935年[1],六角纤锌矿结构Zn O作为宽带隙化合物半导体(Eg=3.37 e V),其具有良好的压电、气敏和湿敏等优异特性,并且其透光率可高达90%(可见光区域),可广泛应用于压力传感器、加速度传感器、气敏传感器、透明电极和太阳能电池等领域[2-6]。近

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本文编号：750745