从专利视角解读碳化硅基镓氮的竞争格局

发布时间：2022-02-11 13:37

　　碳化硅基镓氮技术多应用于高端射频器件,是各个国家争相攻克的尖端技术。本文基于全球相关专利数据,从专利申请趋势、技术来源、技术目标市场、技术流向、专利申请人等维度分析碳化硅基镓氮的竞争格局。为国内研发机构和企业的发展创新提供路径借鉴。 

【文章来源】：广东化工. 2020,47(18)

【文章页数】：3 页

【部分图文】：

碳化硅基镓氮全球专利申请趋势(申请量/项)

将中国、美国和日本的碳化硅基镓氮专利申请趋势进行比对，如图2所示。可见，美国和日本作为两大技术优势国，较早开始专利布局，且专利申请的趋势和数量呈现出高度同步性，均在2004年达到申请量高峰，具体为美国61项，日本59项，而同期的中国相关专利申请量仅39项，不足美国的三分之二。以2012年拐点，此后中国碳化硅基镓氮专利申请在数量上持续领先于美国和日本。这与我国大力发展第三代半导体产业的国家计划和政策支持密不可分[4]。如图3示出碳化硅基氮化镓专利技术的来源/目标市场分布，可见，就技术来源国/地区而言，日本专利数量最多为379项，居第一梯队；美国(256项)和中国(248项)居第二梯队；韩国和欧洲的专利产出与日本、美国、中国存在较大差距。就技术目标国/地区而言，日本(625项)和美国(638项)均为各国争相占领的重要市场，居第一梯队；中国(505项)居第二梯队；韩国和欧洲也有一定的专利数量布局，范围在250～300项之间。可见，日本和美国在碳化硅基镓氮技术领域的创新实力强大，且存在大量的专利布局，竞争形势严峻。

相比而言，中国没有企业入围，仅有大学或科研机构，具体为中科院半导体研究所(36项)、西安电子科技大学(15项)入围。可见，大学或科研机构为中国专利申请的主力军。中国企业对研发关注度和技术实力还不够，国际竞争力有待提高。我国的产业发展需进一步加大力量培育有较高研发实力的优质企业。3.2领军企业专利分析

【参考文献】：
期刊论文
[1]聚焦产业关键技术,把握第三代半导体发展机遇——第三代半导体材料产业技术分析报告[J]. 赵婉雨.  高科技与产业化. 2019(05)



本文编号：3620377