介质阻挡放电电压对阳极键合材料表面性能的影响

发布时间：2018-01-07 04:21

  本文关键词：介质阻挡放电电压对阳极键合材料表面性能的影响　出处：《科学技术与工程》2017年16期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：通过亲水角和表面形貌两个标准,探究了介质阻挡放电电压对低温阳极键合材料性能的影响。实验采用1 mm厚的玻璃片和2 mm厚的氧化铝陶瓷片作为阻挡介质,在放电时间为10 s,放电间隙1.5 mm的放电条件下进行活化。实验表明,放电电压为24 kV时,活化效果较好,此时玻璃片亲水角14.3°,硅片亲水角33.5°,玻璃片粗糙度为0.643 nm,硅片粗糙度0.419 nm。
[Abstract]:Hydrophilic angle and surface morphology were adopted. The effect of dielectric barrier discharge voltage on the properties of low temperature anodic bonding material was investigated. 1 mm thick glass plate and 2 mm thick alumina ceramic chip were used as barrier medium in the experiment, and the discharge time was 10 s. When the discharge voltage is 24 kV, the activation effect is better. The hydrophilic angle of glass is 14.3 掳and the hydrophilic angle of silicon is 33.5 掳. The roughness of glass is 0.643 nm, and the roughness of silicon is 0.419 nm.
【作者单位】： 苏州大学机电工程学院机器人与微系统研究中心;
【基金】：高等学校博士学科点专项科研基金(20133201130003) 国家重大科学仪器设备开发专项资金(2013YQ470767)资助
【分类号】：TH-39
【正文快照】： 基金(20133201130003)和国家重大科学仪器设备开发专项资金(2013YQ470767)资助引用格式:方智立,潘明强,李正潮,等.介质阻挡放电电压对阳极键合材料表面性能的影响[J].科学技术与工程,2017,17(16):187—190Fang Zhili,Pan Mingqiang,Li Zhengchao,et al.Effect of dielectric b，

本文编号：1390967