钴掺杂MoSe 2 共生长中氢气的作用分析及磁电特性研究

发布时间：2024-11-02 13:21

　　 采用原位共生长化学气相沉积法,以Co3O4、Mo O₃、Se粉末为前驱物, 710℃下在SiO₂衬底上生长掺钴MoSe₂纳米薄片,分析讨论氢气含量对其生长及调节机理的影响.表面形貌分析表明,氢气的引入促进了成核所需的氧硒金属化合物以及横向生长中需要的Co Mo Se化合物分子的生成;AFM（AtomicForce Microscope）结果表明氢气有利于生长单层二维超薄掺钴MoSe₂.随着Co3O4前驱物用量的增加,样品的拉曼和PL（Photoluminescence）谱图分别表现出红移和蓝移现象,带隙实现从1.52—1.57 e V的调制. XPS （X-ray photoelectron spectroscopy）结果分析得到Co的元素组分比为4.4%.通过SQUID-VSM （Superconducting QUantum Interference Device）和器件电学测试分析了样品的磁电特性,结果表明Co掺入后Mo Se2由抗磁性变为软磁性;背栅FETs器件的阈值电压比纯Mo Se2向正...

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本文编号：4009568