热处理对直接镀Pd键合Cu线性能的影响

发布时间：2017-09-11 11:12

  本文关键词：热处理对直接镀Pd键合Cu线性能的影响

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【摘要】：利用扫描电镜、透射电镜、聚焦离子束、强度测试仪研究了键合Cu线无卤直接镀Pd工艺及镀Pd键合Cu线性能,分析了热处理温度对直接镀Pd键合Cu线钯层界面结合强度、镀Pd键合Cu线拉断力、伸长率及钯层厚度的影响。结果表明:无卤直接镀Pd工艺可获得镀层均匀的镀Pd键合Cu线;随热处理温度增加,钯层结合强度增加,热处理温度300℃时,镀层与基体结合强度较低;热处理温度450℃时,直接镀Pd键合Cu线钯层与基体Cu之间产生了Pd3Cu5金属间化合物,钯层与铜线基体结合强度较好;热处理温度450℃时,直接镀钯铜线具有优良的力学性能适当的钯层厚度,镀Pd键合Cu线拉断力为0.096 N,伸长率为14.3%,钯层厚度为78 nm;热处理温度500℃时镀Pd键合Cu线晶粒粗大,力学性能降低,拉断力为0.073 N,伸长率为11.6%。
【作者单位】： 河南理工大学机械与动力工程学院;焦作大学化工与环境工程学院;
【关键词】： 直接镀钯 热处理 结合强度 Pd厚度 力学性能
【基金】：博士基金项目(60407/004)
【分类号】：TB306
【正文快照】： 键合铜线由于其成本低廉,在中低端电子产品(分立器件、TIP、SOP等封装类型)中得到了广泛的应用,但在高密度(QFN,QFP,BGA等封装类型)及复杂连接上应用应用受到了限制,影响键合铜线广泛应用的主要原因在于键合铜线本身存在常温大气条件下极易腐蚀(氧化)导致的键合铜线球焊可焊性

【参考文献】

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本文编号：830379