新型忆阻电路设计与仿真研究

发布时间：2018-09-04 08:49

【摘要】：忆阻器(Memristor)由蔡少棠(L.O.Chua)在1971年提出并于2008年由惠普实验室成功研制出原型器件,是继电阻、电容和电感之后的第四种基本电路元件。忆阻器是由电量和磁通量定义的非线性电路模型,具有许多独特的复杂动力学特性。本文利用忆阻器模型,设计基于忆阻器的新型电路,深入研究其动力学特性。主要工作包括:1)含不确定性参数的新型忆阻电路设计与仿真研究根据忆阻器的性质,在忆阻电路模型中引入不确定性参数。基于该新型电路模型,利用数值仿真方法研究其混沌吸引子和李雅普诺夫指数谱,深入剖析不确定性参数对该新型忆阻电路关键动力学特性的影响。2)基于两个忆阻器的新型混沌发生器设计与仿真研究根据电路理论设计出一类基于两个忆阻器的新型混沌发生器,建立其数学模型,并计算仿真相轨图、李雅普诺夫指数与谱、平衡点集与分岔图等动力学行为,尝试性提出基于多个忆阻器的新型混沌发生器。3)基于两个忆阻器的新型时滞电路模型设计与仿真研究在基于两个忆阻器的电路中,引入时滞并设计其电路模型,通过数值仿真李雅普诺夫指数谱、相轨图、分岔图研究该新型电路中的时滞效应与动力学特征。
[Abstract]:(Memristor) was proposed by L.O.Chua in 1971 and successfully developed by HP Labs in 2008. It is the fourth basic circuit component after resistor, capacitance and inductance. The resistor is a nonlinear circuit model defined by electric quantity and magnetic flux. It has many unique complex dynamic characteristics. In this paper, a new type of circuit based on resistor is designed, and its dynamic characteristics are studied. The main work includes: 1) Design and simulation of a new type of memory circuit with uncertain parameters; according to the properties of the resistor, the uncertain parameters are introduced into the circuit model. Based on the new circuit model, the chaotic attractor and Lyapunov exponent spectrum are studied by numerical simulation. Deep Analysis of the influence of uncertain parameters on the key dynamic characteristics of the novel Amplifier. 2) the Design and Simulation of a novel chaotic Generator based on two Amplifier; A Class of two Amplifier based on Circuit Theory A new chaotic generator, The mathematical model is established, and the dynamic behaviors such as phase orbit diagram, Lyapunov exponent and spectrum, equilibrium point set and bifurcation diagram are calculated. A novel chaotic Generator based on multiple Amplifier. (3) Design and Simulation of a novel delay Circuit Model based on two Amplifier; introduce time delay and Design its Circuit Model in the Circuit based on two Amplifier. The delay effect and dynamic characteristics of the new circuit are studied by numerical simulation of Lyapunov exponent spectrum, phase orbit diagram and bifurcation diagram.
【学位授予单位】：电子科技大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2014
【分类号】：TM502

【共引文献】

相关期刊论文 前10条

1 廖公夫,黄桂丰,何伯和;Likely Limit Sets of Feigenbaum's Maps and Their Hausdorf f Dimensions[J];Northeastern Mathematical Journal;1997年03期

2 ;Likely Limit Sets of a Class of p-order Feigenbaum's Maps[J];Communications in Mathematical Research;2012年02期

3 LU Wen-lian;CHEN Tian-ping;;Synchronization of networks with time-varying couplings[J];Applied Mathematics:A Journal of Chinese Universities(Series B);2013年04期

4 马颖;时方晓;王晴;王秀梅;秦嘉;潘光鹏;;有机功能薄膜的制备及高密度信息存储研究[J];功能材料;2013年S2期

5 杨帆;韦敏;邓宏;杨胜辉;刘冲;;铜掺杂氧化锌薄膜阻变特性的研究[J];发光学报;2014年05期

6 汪威;朱晓刚;李俊杰;李健;廖梦兰;;Feigenbaum吸引子的动力性质[J];东北师大学报(自然科学版);2014年04期

7 廖公夫;汪威;;p阶Feigenbaum映射的拟极限集及其Hausdorff维数[J];吉林大学学报(理学版);2009年05期

8 周友成;;复杂的动力系统和复杂的拓扑[J];科学;1998年05期

9 王小平;沈轶;吴计生;孙军伟;李薇;;忆阻及其应用研究综述[J];自动化学报;2013年08期

10 陆旭兵;邵亚云;刘俊明;;浮栅型有机非易失性存储器的研究[J];华南师范大学学报(自然科学版);2013年06期

相关会议论文 前2条

1 ;Paradox and Chaos In Classical Mechanics[A];数学·力学·物理学·高新技术研究进展——2004（10）卷——中国数学力学物理学高新技术交叉研究会第10届学术研讨会论文集[C];2004年

2 Xinlei Yi;Wenlian Lu;Tianping Chen;;Synchronization analysis of coupled differential systems with time-varying couplings[A];第25届中国控制与决策会议论文集[C];2013年

相关博士学位论文 前10条

1 王立娟;F-映射的研究[D];吉林大学;2004年

2 顾恩国;控制混沌动力系统中吸引子的稳定邻域及非线性生态系统中的可行吸引域的全局分叉[D];复旦大学;2004年

3 刘恒;离散动力系统中的敏感性与吸引子[D];吉林大学;2007年

4 刘智聪;Basin混合的SRB吸引子与一类平面向量场的分支图[D];中国科学院研究生院（数学与系统科学研究院）;2008年

5 汪威;Feigenbaum吸引子与代换系统的动力性质[D];吉林大学;2012年

6 蔡坤鹏;无机块体忆阻器材料的制备、结构及其电学性质研究[D];清华大学;2013年

7 李子威;多铁异质结薄膜的磁电耦合效应与电阻转变特性研究[D];南京大学;2012年

8 王麒翰;非正则吸引子的若干研究[D];中国科学技术大学;2014年

9 王艳良;基于铜互连和铝互连标准逻辑工艺的阻变随机存储器可靠性研究[D];复旦大学;2012年

10 卜荣成;氮杂环共轭有机小分子结构调节器件存储性能的研究[D];苏州大学;2015年

相关硕士学位论文 前10条

1 孙维昆;R-L-Diode系统的动力学[D];苏州大学;2002年

2 王丽芳;公理A吸引子的层次以及Tél映射的符号动力学[D];苏州大学;2002年

3 刘恒;具有进位吸引子的映射[D];吉林大学;2004年

4 蔡耀雄;Feigenbaum方程解的性质[D];华侨大学;2005年

5 许明;区间映射邻域敏感性及吸引子定义讨论[D];苏州大学;2005年

6 姚跃腾;电阻式存储器特性测试仪及应用研究[D];杭州电子科技大学;2011年

7 刘凯;过渡金属氧化物阻变存储器动态特性的蒙特卡洛仿真[D];天津理工大学;2013年

8 佘小健;高性能有机晶体管存储器的制备及其空气稳定性研究[D];苏州大学;2013年

9 任思伟;RRAM存储单元设计[D];西安电子科技大学;2013年

10 孙健;Nb：SrTiO_3单晶Schottky结的电致阻变特性与机制研究[D];河南大学;2013年

，

本文编号：2221598