一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管

发布时间：2017-07-31 00:09

  本文关键词：一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管

  更多相关文章： 隧穿 场效应晶体管 平均亚阈值斜率 隧穿势垒

【摘要】：针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究。在该结构中,沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的N型InGaAs材料,实现沟道/漏区无结化,简化了制造工艺;同时为了提高开态隧穿电流,源区采用不同于沟道的P型GaAsSb材料,实现异质源区/沟道结构。该结构能有效增大关态隧穿势垒宽度,降低泄漏电流,同时增加开态带带隧穿概率,提升开态电流,从而获得低亚阈值斜率和高开关比。仿真结果表明,在0.4V工作电压下,该新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管的开态电流为3.66mA,关态电流为4.35×10~(-13) A,开关电流比高达10~(10),平均亚阈值斜率为27mV/dec,漏致势垒降低效应值为126。
【作者单位】： 西安交通大学软件学院;西安交通大学电子与信息工程学院;
【关键词】： 隧穿 场效应晶体管 平均亚阈值斜率 隧穿势垒
【基金】：国家自然科学基金资助项目(611760380)
【分类号】：TN386
【正文快照】： 随着集成电路特征尺寸的继续减小,目前广泛应用的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)将面临更加严峻的挑战,如短沟效应加剧、泄漏电流增大、开关电流比降低等[1]。隧穿场效应晶体管(TFET)具有较好的亚阈值特性和较小的泄漏电流,是有效解决以上问题的一种新型器件。不同于M

【参考文献】

中国博士学位论文全文数据库 前1条

1 许会芳;新型纳米器件的性能研究与建模[D];安徽大学;2015年

【二级参考文献】

中国期刊全文数据库 前6条

1 张伟;徐太龙;周茂秀;赵强;代月花;;单材料双功函数栅MOSFET的电容模型[J];半导体技术;2013年04期

2 郑长勇;张伟;徐太龙;代月花;陈军宁;;A compact model for single material double work function gate MOSFET[J];Journal of Semiconductors;2013年09期

3 栾苏珍;刘红侠;贾仁需;蔡乃琼;王瑾;;高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响[J];物理学报;2008年07期

4 秦珊珊;张鹤鸣;胡辉勇;屈江涛;王冠宇;肖庆;舒钰;;应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型[J];物理学报;2011年05期

5 韩名君;柯导明;迟晓丽;王敏;王保童;;超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型[J];物理学报;2013年09期

6 李妤晨;张鹤鸣;张玉明;胡辉勇;王斌;娄永乐;周春宇;;Two-dimensional threshold voltage model of a nanoscale silicon-on-insulator tunneling field-effect transistor[J];Chinese Physics B;2013年03期

中国博士学位论文全文数据库 前1条

1 李定宇;新型源漏结构MOSFET的设计和工艺制备研究[D];北京大学;2008年

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 Paul O’Shea;;研究者用碳60制造出高性能场效应晶体管[J];今日电子;2008年04期

2 江兴;;研究者用碳60制造出高性能场效应晶体管[J];半导体信息;2008年04期

3 孙再吉;;碳60制作的高性能场效应晶体管[J];半导体信息;2008年05期

4 ;科学家开发新超导场效应晶体管[J];光机电信息;2011年05期

5 郑冬冬;;美研制出新式超导场效应晶体管[J];半导体信息;2011年03期

6 武建国;;贴片场效应晶体管工作原理及检测(上)[J];家电检修技术;2011年21期

7 武建国;;贴片场效应晶体管工作原理及检测(下)[J];家电检修技术;2011年23期

8 ;美科学家构造出一个超薄超导场效应晶体管[J];电子产品可靠性与环境试验;2012年06期

9 徐烽;;作开关用的场效应晶体管[J];半导体情报;1971年01期

10 David M.Miller ,Robert G.Meyer ,余玉龙;场效应晶体管的非线性与交扰调制[J];科技译报;1972年02期

中国重要会议论文全文数据库 前10条

1 陈永真;;新型高耐压大功率场效应晶体管[A];新世纪 新机遇 新挑战——知识创新和高新技术产业发展（上册）[C];2001年

2 陶春兰;董茂军;张旭辉;张福甲;;并五苯场效应晶体管的研制[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）[C];2007年

3 张亚杰;汤庆鑫;胡文平;李洪祥;;有机-无机复合单晶场效应晶体管[A];中国化学会第26届学术年会有机固体材料分会场论文集[C];2008年

4 黄学斌;朱春莉;郭云龙;张仕明;刘云圻;占肖卫;;卟啉-三并噻吩共轭聚合物的合成及其场效应晶体管特性[A];中国化学会第26届学术年会有机固体材料分会场论文集[C];2008年

5 赵广耀;董焕丽;江浪;赵华平;覃翔;胡文平;;并五苯类似物单晶场效应晶体管及其在乙醇气体探测中的应用[A];第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-08纳米晶体及其表征[C];2012年

6 张亚杰;董焕丽;胡文平;;基于酞菁铜有机单晶微纳米带的双极性场效应晶体管及化学传感器[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年

7 温雨耕;狄重安;吴卫平;郭云龙;孙向南;张磊;于贵;刘云圻;;硫醇修饰对N-型傒酰亚胺场效应晶体管性能的影响[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年

8 刘南柳;周焱;彭俊彪;裴坚;王坚;;提拉法制备图案化有机纳米线场效应晶体管[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年

9 于海波;田孝军;于鹏;董再励;;碳纳米管场效应晶体管的自动化装配方法研究[A];2008’“先进集成技术”院士论坛暨第二届仪表、自动化与先进集成技术大会论文集[C];2008年

10 吕琨;狄重安;刘云圻;于贵;邱文丰;;基于并三噻吩共聚物的空气稳定的OFET研究[A];中国化学会第26届学术年会有机固体材料分会场论文集[C];2008年

中国重要报纸全文数据库 前6条

1 记者 刘霞;美研制出新式超导场效应晶体管[N];科技日报;2011年

2 刘霞;隧道场效应晶体管可为计算机节能99%[N];科技日报;2011年

3 记者 吴长锋 通讯员 杨保国;我科学家成功制备二维黑磷场效应晶体管[N];科技日报;2014年

4 湖南 黄金贵 编译;场效应晶体管传感器的偏置点电路[N];电子报;2013年

5 成都 史为 编译;场效应晶体管和晶体三极管[N];电子报;2013年

6 张弛;芯片巨头合力研究“零待机”芯片[N];网络世界;2011年

中国博士学位论文全文数据库 前10条

1 肖永光;铁电场效应晶体管的保持性能与负电容效应研究[D];湘潭大学;2013年

2 刘林盛;场效应晶体管的大信号模型研究[D];电子科技大学;2011年

3 刘一阳;并五苯类有机小分子场效应晶体管材料的合成与器件制备[D];兰州大学;2010年

4 塔力哈尔·夏依木拉提;酞菁铜单晶微纳场效应晶体管在气体传感器中的应用基础研究[D];东北师范大学;2013年

5 陶春兰;并五苯性质的研究及其场效应晶体管的研制[D];兰州大学;2009年

6 蔡彬;新型氧化锡微纳单晶场效应晶体管的设计及其在气体传感领域中的应用[D];东北师范大学;2014年

7 王伟;有机薄膜场效应晶体管、发光和显示驱动[D];吉林大学;2006年

8 焦广泛;隧穿场效应晶体管和InGaAs场效应晶体管的可靠性研究[D];复旦大学;2012年

9 杨茹;垂直沟道偶载场效应晶体管（VDCFET）的研究[D];北京师范大学;2004年

10 李建丰;有机功能材料蒽偶低聚物的合成及其场效应晶体管的研究[D];兰州大学;2009年

中国硕士学位论文全文数据库 前10条

1 田小婷;GaSb/InAs异质结隧穿场效应晶体管的性能分析[D];内蒙古大学;2015年

2 曹露雅;有机双极型薄膜场效应晶体管的制备和应用[D];兰州大学;2015年

3 邹素芬;新型有机小分子场效应晶体管器件的制备及性能研究[D];杭州师范大学;2015年

4 史柯利;聚合物场效应晶体管的制备以及性能研究[D];北京化工大学;2015年

5 李圣威;三栅场效应晶体管（FinFET）电学特性的建模与仿真[D];复旦大学;2014年

6 王东盛;并五苯场效应晶体管的制备[D];大连理工大学;2005年

7 黄帅;铁电场效应晶体管的保持性能研究[D];湘潭大学;2011年

8 陈小川;垂直构型有机光敏场效应晶体管的研究[D];北京交通大学;2009年

9 梁昌;并五苯薄膜场效应晶体管的研制[D];吉林大学;2005年

10 韩忠方;隧穿场效应晶体管的模拟研究[D];复旦大学;2012年

，

本文编号：596623