以太网芯片重离子单粒子效应试验

发布时间：2017-12-24 07:18

  本文关键词：以太网芯片重离子单粒子效应试验　出处：《强激光与粒子束》2016年08期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：为评估和研究工业以太网芯片KSZ8851-16MLLJ在空间环境中的适应性,利用重离子源对芯片进行了单粒子试验。根据以太网芯片的结构和功能制订了单粒子实验方案,得出了实验数据,并对实验数据进行了整理和研究。实验和研究表明:工业以太网芯片KSZ8851-16MLLJ具有一定的抗单粒子辐射能力;在不同网络传输条件下,发生单粒子翻转的机率也不相同;在持续的单粒子辐射下,以太网芯片会发生电流阶跃,第二次电流阶跃时产生单粒子锁定,在工程应用中可以利用电流阶跃监测芯片的辐射水平。
【作者单位】： 兰州空间技术物理研究所载人机电研究室;
【分类号】：V443;TN406
【正文快照】：

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【共引文献】

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本文编号：1327401