星载计算机系统单粒子效应仿真方法研究
【学位单位】:西安电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:V446;TP391.9
【部分图文】:
西安电子科技大学硕士学位论文4图1.1 柯晶达单粒子效应器件级仿真解决方案示意图以上这些研究针对不同的模型层次进行了单粒子效应仿真,但都没有很好地解决仿真模型精度与电路规模相矛盾的问题,即器件级和电路SPICE级仿真精度虽然高,但支持的电路规模小;RTL 级支持更大的规模,但仿真精度大大降低。目前,对星载计算机的单粒子效应仿真研究尚处于起步阶段[24],该方向是国内外的一个研究热点,有巨大的研究价值。针对以上问题,本文对星载计算机系统进行 SPICE 层面的建模并研究其单粒子效应仿真方法,在保证模型精度的前提下实现了对大规模电路系统的单粒子效应仿真。1.3 论文研究内容与结构安排本文针对星载计算机的核心系统模块进行 SPICE 层次的建模与单粒子效应仿真分析。研究了一种适用于大规模数字电路系统的单粒子效应故障注入与仿真方法。基于 SMIC 130nm CMOS 工艺
西安电子科技大学硕士学位论文16图3.1 不同 LET 条件下的单粒子瞬态响应电流从图中可以看出,对于 SMIC 130nm CMOS 工艺器件,不同 LET 条件下单粒子瞬态脉冲的高度和宽度差异很大,但形状基本一致,且都具有“拖尾”现象,这表明器件结构决定了单粒子瞬态脉冲的形状,而粒子入射的 LET 影响单粒子瞬态脉冲的高度和宽度。3.1.2 SPICE 级故障注入模型通过器件级单粒子效应仿真得到的电流响应数据可以作为一个瞬态电流源注入到 SPICE 电路级网表中,用于电路级的单粒子效应仿真。常用的单粒子效应注入模型有双指数电流源模型、Weibull 分布函数电流源模型和 PWL(分段线性差值)电流源模型。双指数电流源模型采用双指数函数来描述电路节点的电流随时间的响应。双指数函数的定义为:0( ) ( ) = +t tI t I e e (3-1)利用 Matlab 工具,可以拟合得到参数 I0、1/α 和 1/β 与 LET 的函数关系?
第四章 星载计算机系统 SPICE 模型搭建47图4.21 初始化程序部分信号波形图从图中可以看出,处理器执行初始化程序至地址 0x00001BC 处时,由初始化程序SRAM跳转到指令SRAM的地址0x0000000处,并开始执行指令SRAM中的程序,表明系统正确地完成了初始化。(2)矩阵乘法矩阵乘法程序首先将列矩阵和行矩阵的元素存入数据 SRAM 中,然后每次从数据 SRAM 中读取两个元素并作乘法运算,运算结果写入数据 SRAM 中。某次将乘法运算结果写入数据 SRAM 时的部分波形如图 4.22 所示。图4.22 矩阵乘法程序部分信号波形图从图中可以看出,该操作为将数据 0x000008BC 写入地址 003FF54 中
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1 本报记者 李淑Y
本文编号:2825611
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