纳米铁基材料的制备及其催化降解有害污染物机理的研究
【图文】:
图 1-1 半导体光催化机理示意图 Schematic diagram of semiconductor photocatalytic m剂受到不小于 Eg 的光照射时,处于其上的价带电(h+),在半导体中产生具有高活性的光生电子-空所产生的光生电子-空穴对会发生迁移。一部分光迁移过程中发生复合,以光或热的形式放出热量;化材料表面并与吸附在上面的物质发生反应。光料表面的 O2、H2O 等发生氧化还原反应生成活性自较高活性,能氧化体系中的有机物。降解有机污染物而言,空穴电子 h+或由光生电子-合 H2O、OH-产生的羟基自由基均具有氧化活性,、无机盐等。值得一提的是,目前对于半导体光催议。科研工作者在半导体光催化的研究中发现,空
第二章 纳米氧化铁的形貌可控性及催化性能研究( )222 2 2 2TiO H O TiO H O+++ → (2-3)该络合物具有稳定的吸收峰,吸收峰强度与双氧水浓度呈正相关,通过测定该络合物吸光度,可以计算得到双氧水浓度。经过光谱扫描,确定在 400nm 处测定吸收波长。通过测定不同时刻双氧水吸光度的变化,可以得到其浓度随时间的变化。为了确定双氧水浓度,分别配置 5、10、15、20、25、30、35、40 mg/L 双氧水溶液,加入 1 mol/L 硫酸溶液和 3 mmol/L 硫酸钛溶液,反应 15 min 后,在波长为 400 nm处分别测其吸光度,得到双氧水的标准曲线。如图 2-1 所示,所得标准曲线相关系数为0.999。
【学位授予单位】:华南理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:X505;O643.36
【参考文献】
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,本文编号:2689022
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