EGSB/ABR/接触氧化工艺处理多晶硅有机废水
发布时间：2020-12-22 23:37
多晶硅生产废水含有多晶硅切割液中的聚乙二醇、较多悬浮物和胶体物质,具有COD浓度高、可生化性差的特点,采用混凝沉淀/EGSB/ABR/接触氧化工艺处理,结果表明,多级厌氧好氧组合工艺生化降解效果好,出水水质达到《污水综合排放标准》(GB 8978—1996)的三级标准,系统运行稳定、可靠。
【文章来源】：中国给水排水. 2016年16期 北大核心
【文章页数】：4 页
【部分图文】：
多晶硅生产有机废水处理工艺流程
铣ぃ??出现酸化和VFA累积的情况，通过投加尿素、磷肥等调质、回流等措施解决了上述问题。经过近5个月的调试，EGSB内形成了粒径为1～3mm、具有良好沉降性的颗粒污泥，污泥浓度维持在20～30g/L，COD去除率＞50%，ABＲ对COD去除率接近60%，接触氧化池的填料表面已形成黄褐色生物膜，活性污泥性状良好，出水水质达标，说明各生化反应器内微生物相培养驯化成熟，调试基本结束，进入稳定运行阶段。4.3监测数据和运行效果分析系统在稳定运行阶段后，出水各项指标达到国家标准，选取11月30d内系统运行监测数据，具体见图2。图2系统对COD和SS的处理效果Fig．2EffectofCODandSSremoval从图2可知，进水COD为2700～4500mg/L，波动较大，出水COD为80～230mg/L，COD总去除率约92%～96%;进水SS为1500～2500mg/L，出水SS为50～130mg/L，SS总去除率约91%～97%。系统处理出水质稳定，完全达到《污水综合排放标准》(GB8978—1996)三级标准。各工段COD处理效果见表3。·97·www．watergasheat．com彭明江，等:EGSB/ABＲ/接触氧化工艺处理多晶硅有机废水第32卷第16期
－1)BOD5/(mg·L－1)SS/(mg·L－1)F－/(mg·L－1)切削液废水8．535008001000—切削液回收洗砂水4～63400068003000—切削液回收酸洗水1～5850200300＜100切削液回收碱洗水9～12900025002500—清洗废水6～9900400400—2.2设计出水标准废水处理后水质需达到《污水综合排放标准》(GB8978—1996)的三级标准，再排入市政污水管网:pH值为6～9、COD≤500mg/L、BOD5≤300mg/L、SS≤400mg/L、F－≤20mg/L。3工艺流程及设计参数3.1工艺流程多晶硅有机废水处理工艺流程见图1。图1多晶硅生产有机废水处理工艺流程Fig．1Flowchartofpolysiliconorganicwastewatertreatmentprocess多晶硅生产中的各类有机废水均排入废水调节池均化水质水量。均化后的废水被提升至混凝反应池前端第一格，投加石灰，调节pH值至8～9，处理出水顺序进入第二格，定量投加PAC，使废水进行反应和凝聚，并形成絮体。第三格定量投加PAM，有助凝和絮凝作用，经初沉池完成固液分离的过程。初沉池上清液排入中间水池，沉泥排入浓缩池。中间水池投加营养物、盐类调整水质。废水先进入EGSB进行厌氧处理，EGSB内安装有三相分离器，设有出水回流管路，出水回流和穿孔管大阻力配水可有效防止反应器底部积泥，产生膨化污泥床层，有利于颗粒污泥形成，使反应器保持有高浓度微生物相，其中生物相和废水充分混合传质，使EGSB对难降解高分子有机物具有很好的耐受和预降解作用，为具有推流特征的ABＲ处理废水起到了铺垫作用。EGSB出水进入ABＲ进一步厌氧处理。ABＲ内部设置一系列上下折流板，使进入其中的废水以升流和降流的方式流经整个反应器，在降流室进水一侧折流板的下部设置了45°的转角，缓冲了水流并使布水均?
【参考文献】：
期刊论文
[1]多晶硅企业生产废水处理工程实例[J]. 许伟军,高璠,王家德. 中国给水排水. 2012(20)
[2]多晶硅生产企业废水处理工程设计与应用[J]. 姜静. 工业安全与环保. 2011(07)
[3]光伏电池单晶硅生产废水处理工程实例[J]. 周建民,张国岭,端木合顺,扈映茹. 水处理技术. 2009(04)
本文编号：2932650
【文章来源】：中国给水排水. 2016年16期 北大核心
【文章页数】：4 页
【部分图文】：
多晶硅生产有机废水处理工艺流程
铣ぃ??出现酸化和VFA累积的情况，通过投加尿素、磷肥等调质、回流等措施解决了上述问题。经过近5个月的调试，EGSB内形成了粒径为1～3mm、具有良好沉降性的颗粒污泥，污泥浓度维持在20～30g/L，COD去除率＞50%，ABＲ对COD去除率接近60%，接触氧化池的填料表面已形成黄褐色生物膜，活性污泥性状良好，出水水质达标，说明各生化反应器内微生物相培养驯化成熟，调试基本结束，进入稳定运行阶段。4.3监测数据和运行效果分析系统在稳定运行阶段后，出水各项指标达到国家标准，选取11月30d内系统运行监测数据，具体见图2。图2系统对COD和SS的处理效果Fig．2EffectofCODandSSremoval从图2可知，进水COD为2700～4500mg/L，波动较大，出水COD为80～230mg/L，COD总去除率约92%～96%;进水SS为1500～2500mg/L，出水SS为50～130mg/L，SS总去除率约91%～97%。系统处理出水质稳定，完全达到《污水综合排放标准》(GB8978—1996)三级标准。各工段COD处理效果见表3。·97·www．watergasheat．com彭明江，等:EGSB/ABＲ/接触氧化工艺处理多晶硅有机废水第32卷第16期
－1)BOD5/(mg·L－1)SS/(mg·L－1)F－/(mg·L－1)切削液废水8．535008001000—切削液回收洗砂水4～63400068003000—切削液回收酸洗水1～5850200300＜100切削液回收碱洗水9～12900025002500—清洗废水6～9900400400—2.2设计出水标准废水处理后水质需达到《污水综合排放标准》(GB8978—1996)的三级标准，再排入市政污水管网:pH值为6～9、COD≤500mg/L、BOD5≤300mg/L、SS≤400mg/L、F－≤20mg/L。3工艺流程及设计参数3.1工艺流程多晶硅有机废水处理工艺流程见图1。图1多晶硅生产有机废水处理工艺流程Fig．1Flowchartofpolysiliconorganicwastewatertreatmentprocess多晶硅生产中的各类有机废水均排入废水调节池均化水质水量。均化后的废水被提升至混凝反应池前端第一格，投加石灰，调节pH值至8～9，处理出水顺序进入第二格，定量投加PAC，使废水进行反应和凝聚，并形成絮体。第三格定量投加PAM，有助凝和絮凝作用，经初沉池完成固液分离的过程。初沉池上清液排入中间水池，沉泥排入浓缩池。中间水池投加营养物、盐类调整水质。废水先进入EGSB进行厌氧处理，EGSB内安装有三相分离器，设有出水回流管路，出水回流和穿孔管大阻力配水可有效防止反应器底部积泥，产生膨化污泥床层，有利于颗粒污泥形成，使反应器保持有高浓度微生物相，其中生物相和废水充分混合传质，使EGSB对难降解高分子有机物具有很好的耐受和预降解作用，为具有推流特征的ABＲ处理废水起到了铺垫作用。EGSB出水进入ABＲ进一步厌氧处理。ABＲ内部设置一系列上下折流板，使进入其中的废水以升流和降流的方式流经整个反应器，在降流室进水一侧折流板的下部设置了45°的转角，缓冲了水流并使布水均?
【参考文献】：
期刊论文
[1]多晶硅企业生产废水处理工程实例[J]. 许伟军,高璠,王家德. 中国给水排水. 2012(20)
[2]多晶硅生产企业废水处理工程设计与应用[J]. 姜静. 工业安全与环保. 2011(07)
[3]光伏电池单晶硅生产废水处理工程实例[J]. 周建民,张国岭,端木合顺,扈映茹. 水处理技术. 2009(04)
本文编号：2932650
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