超薄Bi 2 O 2 （OH） x Cl 2-x 纳米片和超薄Bi 4 O 5 Br 2 /g-C 3 N 4 复合光催
发布时间：2021-01-14 00:01
近年来,光催化技术在污水治理领域的应用越来越广泛,然而,传统光催化材料因其光谱响应范围窄、量子效率低等因素成为了其发展的瓶颈。超薄二维铋系半导体材料因其较高的光催化活性和较大的光谱响应范围,具有光明的应用前景。鉴于此,本研究围绕超薄Bi2O2（OH）xCl2-x和超薄Bi4O5Br2/g-C3N4复合光催化材料,分别对其光催化性能及反应机理进行了研究。本研究主要内容如下:（1）采用简便易行的水热法制备了超薄Bi2O2（OH）xCl2-x（0≤x≤1）纳米片,通过多种表征手段研究了样品的物相组成、形貌特征以及电子结构等。分析结果表明,使用乙二醇和水作为水热反应的溶剂是导致Bi2O2（OH）xCl2-x样品中生成氧空位（V...
【文章来源】：武汉理工大学湖北省 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：83 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
TiO2半导体光催化机理示意图
武汉理工大学硕士学位论文TiO2+hν→ TiO2(e-, h+) 式（1-1）OH-(H2O)+h+→·OH 式（1-2）O2+e-→·O2-式（1-3）·O2-+H+→HOO·→·OH 式（1-4）h++organic→CO2+H2O 式（1-5）·OH+organic→CO2+H2O 式（1-6）1.2.2 半导体光催化技术的发展及应用现状半导体光催化剂在使用过程中机理比较复杂，主要涉及到光生载流子的产生以及在半导体光催化材料表面发生的氧化还原反应。
属或非金属元素掺杂或非金属离子掺杂都可以使半导体光催化材料的能级结构发生改掺杂通常会在半导体晶格内部引入杂质能级，增强对光谱的响应范的利用率更高，而非金属元素的掺杂则通常会使得半导体的价带有减小禁带宽度的效果，同样会增强对光谱的响应范围。近年来，导体金属或非金属掺杂的研究。如 Feng 等[16]，使用硼元素和银元同时进行掺杂，并从理论上对其晶体结构进行了探讨，研究表明硼素掺杂后晶体内部的[T*–O–Ag](T*插入硼元素形成的配位结构)结的有较强的捕获能力，从而有效的抑制了光生载流子的复合，增强，电子空穴的分离机理如图 1-3 所示。Wang 等[17]，制备出 La/Cr TiO3的光催化剂，研究表明，La/Cr 的掺杂使得 CaTiO3的带隙变窄谱的吸收范围，从而具有优异的光催化性能。
本文编号：2975794
【文章来源】：武汉理工大学湖北省 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：83 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
TiO2半导体光催化机理示意图
武汉理工大学硕士学位论文TiO2+hν→ TiO2(e-, h+) 式（1-1）OH-(H2O)+h+→·OH 式（1-2）O2+e-→·O2-式（1-3）·O2-+H+→HOO·→·OH 式（1-4）h++organic→CO2+H2O 式（1-5）·OH+organic→CO2+H2O 式（1-6）1.2.2 半导体光催化技术的发展及应用现状半导体光催化剂在使用过程中机理比较复杂，主要涉及到光生载流子的产生以及在半导体光催化材料表面发生的氧化还原反应。
属或非金属元素掺杂或非金属离子掺杂都可以使半导体光催化材料的能级结构发生改掺杂通常会在半导体晶格内部引入杂质能级，增强对光谱的响应范的利用率更高，而非金属元素的掺杂则通常会使得半导体的价带有减小禁带宽度的效果，同样会增强对光谱的响应范围。近年来，导体金属或非金属掺杂的研究。如 Feng 等[16]，使用硼元素和银元同时进行掺杂，并从理论上对其晶体结构进行了探讨，研究表明硼素掺杂后晶体内部的[T*–O–Ag](T*插入硼元素形成的配位结构)结的有较强的捕获能力，从而有效的抑制了光生载流子的复合，增强，电子空穴的分离机理如图 1-3 所示。Wang 等[17]，制备出 La/Cr TiO3的光催化剂，研究表明，La/Cr 的掺杂使得 CaTiO3的带隙变窄谱的吸收范围，从而具有优异的光催化性能。
本文编号：2975794
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