ZnO和GO/ZnO的制备及光催化降解罗丹明B模拟废水研究
发布时间:2021-11-02 04:40
随着科技的不断进步,工业的发展也突飞猛进,因此,需要寻找一些新型的材料来支撑工业的持续发展。在工业迅速发展的过程中会有大量废水的产生,对人类的生存和发展以及环境造成很大的负面影响。工业废水中常见的污染源是染料废水,因其难以降解、生物毒性高,一直被看做是难降解的废水。因此,研究一种材料或者方法来解决废水污染问题,成为一个热门的研究领域。近年来,ZnO光催化氧化技术,在新型的废水处理技术方面得到了快速的发展,而ZnO材料因其具有独特的晶体结构和物理特性,使得ZnO薄膜材料同时具有良好的光电、压敏、压电、气敏等特性,又因其价格低廉、无毒、化学稳定性好、反应条件温和而成为了人们的研究热点。但是由于ZnO的光谱响应区间仅在紫外区,所以其太阳能的利用率很低;ZnO光照产生的电子-空穴分离效率比较低,以上这两点均降低了ZnO光催化剂的光催化性能。选用性能独特的氧化石墨烯材料与氧化锌纳米材料复合对其进行改性,拓宽氧化锌材料的光谱响应区间至可见区、降低电子-空穴的复合率,为光催化技术的研究奠定了重要的基础。本论文采用简单的均匀沉淀法,分别成功合成了ZnO以及Zn02薄膜样品、ZnO以及氧化石墨烯与氧化锌...
【文章来源】:河南大学河南省
【文章页数】:61 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
图2-1不同娘烧温度处理下薄膜样品的AFM图像??(A处理温度80’C;?B处理温度150
实验的测试条件为:载荷1N,滑动速度为300?mm/min。微摩擦磨损试验机可W对??制备的薄膜样品通过压/磨的方式评价其强度、抗磨的性能。??图2-3可W看出氧化巧薄膜经过不同的温度锻烧后,80‘C下处理的Zn化薄膜在7?h??后摩擦系数仍然能很好的保持在0.1,说明Zn〇2薄膜样品能够抵御长时间的摩擦;150°C、??200’C、300‘C制备的薄膜材料其耐磨性能较差,耐磨寿命只有几分钟,这可能是因为随??着温度的升高,过氧化巧逐渐向氧化巧晶体转化,在股烧温度为150’C、200’C、300’C??时,得到的薄膜组成是过氧化锋和氧化巧的混合物,而导致摩擦学性能较差;然而在??450’C锻烧下的薄膜样品又具有一定的耐磨性能,耐磨寿命为33?min,这可能主要是薄??膜的组成己经是结晶性较好的氧化锋晶体的原因。摩擦学研究结果表明,通过这种简单??的均匀沉淀方法合成的ZnO薄膜在摩擦学方面有一定的应用前景。??2.?4.?2电学性能??W四探针法测定薄膜样品的电学特性,四探针法是最常用的方法,其操作简单、准??确度高
????AV??图2-5?45CTC下薄膜样品的电性能图??由图2-4示可W看出,80’C温度处理下的Zn化薄膜样品其电性能较差,图中结果??不是一条导电良好的直线,说明制备的Zn化薄膜的电学性能较差,而随着热处理温度??的升高到450’C,过氧化巧薄膜在向氧化巧薄膜转变,由图2-5中可L:i>看出,有ZnO晶??体存在的薄膜表现了很好的电性能,四探针测试结果得到的曲线,为较平滑的直线。ZnO??薄膜的电学性能测试表明
本文编号:3471355
【文章来源】:河南大学河南省
【文章页数】:61 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
图2-1不同娘烧温度处理下薄膜样品的AFM图像??(A处理温度80’C;?B处理温度150
实验的测试条件为:载荷1N,滑动速度为300?mm/min。微摩擦磨损试验机可W对??制备的薄膜样品通过压/磨的方式评价其强度、抗磨的性能。??图2-3可W看出氧化巧薄膜经过不同的温度锻烧后,80‘C下处理的Zn化薄膜在7?h??后摩擦系数仍然能很好的保持在0.1,说明Zn〇2薄膜样品能够抵御长时间的摩擦;150°C、??200’C、300‘C制备的薄膜材料其耐磨性能较差,耐磨寿命只有几分钟,这可能是因为随??着温度的升高,过氧化巧逐渐向氧化巧晶体转化,在股烧温度为150’C、200’C、300’C??时,得到的薄膜组成是过氧化锋和氧化巧的混合物,而导致摩擦学性能较差;然而在??450’C锻烧下的薄膜样品又具有一定的耐磨性能,耐磨寿命为33?min,这可能主要是薄??膜的组成己经是结晶性较好的氧化锋晶体的原因。摩擦学研究结果表明,通过这种简单??的均匀沉淀方法合成的ZnO薄膜在摩擦学方面有一定的应用前景。??2.?4.?2电学性能??W四探针法测定薄膜样品的电学特性,四探针法是最常用的方法,其操作简单、准??确度高
????AV??图2-5?45CTC下薄膜样品的电性能图??由图2-4示可W看出,80’C温度处理下的Zn化薄膜样品其电性能较差,图中结果??不是一条导电良好的直线,说明制备的Zn化薄膜的电学性能较差,而随着热处理温度??的升高到450’C,过氧化巧薄膜在向氧化巧薄膜转变,由图2-5中可L:i>看出,有ZnO晶??体存在的薄膜表现了很好的电性能,四探针测试结果得到的曲线,为较平滑的直线。ZnO??薄膜的电学性能测试表明
本文编号:3471355
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/huanjinggongchenglunwen/3471355.html
最近更新
教材专著