初始空位浓度对硅晶圆中V-O 2 对演变影响的仿真

发布时间：2023-04-22 08:54

　　为了揭示初始空位浓度对低温退火的硅晶圆内V-O₂对演变的影响,基于所建相场模型及其应用程序,对随机均匀分布的3个初始空位浓度条件下硅晶圆内V-O₂对演变进行了模拟研究.结果表明:随着初始空位浓度平均值的减小,V-O₂对数量相应减少且变化速率减慢,这与相应的空位浓度演变及其均匀化过程有关;初始空位浓度平均值过低时,V-O₂对不能产生.

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【文章目录】：
1 仿真模型
2 几何模型和模拟条件
3 模拟结果分析
    3.1 空位浓度演变
    3.2 V-O2对演变
4 结论



本文编号：3797322