纳米SiC陶瓷的氧化特性的研究

发布时间：2017-10-13 12:38

  本文关键词：纳米SiC陶瓷的氧化特性的研究

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【摘要】：采用差示扫描量热DSC研究了在不同的升温条件下的聚碳硅烷PCS热解产物纳米Si C粉末在空气环境中的氧化反应动力学,并结合X射线衍射和拉曼光谱技术探讨其氧化特性。结果表明:升温速度对PCS热解产物纳米Si C粉末的氧化过程有较大的影响,随着升温速度的增加,1100℃左右的放热氧化峰向高温方向偏移。动力学研究表明微米Si C氧化活化能为115.90 k J/mol,PCS热解产物纳米Si C粉末氧化活化能为485.73 k J/mol,表明PCS热解产物纳米Si C粉末具有较好的抗氧化性能。
【作者单位】： 武汉理工大学材料研究与测试中心;
【关键词】： SiC 聚碳硅烷PCS 动力学 氧化 DSC
【基金】：湖北省自然科学基金项目(2013CFB340)
【分类号】：TQ174.1
【正文快照】： 0引言碳化硅陶瓷以其独特的高温强度、优异的化学稳定性、超硬耐磨、抗热冲击性以及膨胀系数低等优异性能,成为热机、高温环境和化学工程等工业领域的理想材料。在碳化硅陶瓷材料的各种制备工艺中,陶瓷前驱体转化法是制备先进陶瓷材料的新方法,它采用有机先驱体为原料,通过高

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1 王奎玉,郝玉福,苏俊林,徐英第;火焰炉内金属氧化特性的试验研究[J];节能技术;1992年04期

2 ;[J];;年期

，

本文编号：1024895