超填孔镀铜加速剂分子的构效关系及填盲孔效果的研究

发布时间：2021-10-31 09:46

　　超填孔镀铜技术是印制电路板（PCB）尤其是高密度互联（HDI）板金属化制程的关键。目前,超填孔镀铜选择的都是酸性硫酸盐镀铜体系,而酸性硫酸盐镀铜的关键是添加剂的选择与使用。本文以加速剂为研究对象,根据分子的组成与结构特点将待研究的有机物分子分为两组:1)分子中含直链烷烃的;2)分子中含五元杂环的。首先,通过循环伏安、计时电位等电化学测试方法研究各有机物分子对镀铜过程的影响规律,结果表明:所有有机物分子都对镀铜过程具有加速效果,但加速响应时间与加速作用强度存在差别。接下来,详细揭示了加速剂浓度、对流强度以及氯离子对加速剂加速作用的影响规律,结果表明:1)H1、SH110、TPS和M存在临界浓度,它们均表现为在低浓度下加速铜沉积,而在高浓度下抑制铜沉积;2)对流强度越弱,加速剂对镀铜过程的加速作用越明显;3)DMPS和TPS在无氯条件下加速作用更强,其他加速剂均表现为抑制作用。然后,通过预吸附-脱附实验揭示加速剂分子在电极表面的吸脱附行为,结果表明:氯离子能增强加速剂分子在电极表面的吸附强度并延长脱附时间,但无氯条件下加速剂分子吸附量更多。为了进一步研究加速剂分子对镀铜过程影响的作用机制,... 

【文章来源】：北京化工大学北京市 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：95 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

图２－１盲孔模型剖面图??

?第三章加速剂电化学行为研究???这一项数据可以看出加速剂在阴极表面完全发挥加速作用以及加速剂到阴极表??面所需的时间，也是衡量加速剂加速能力的一项标准，得到的数据如表３－２所示。??由图３－３和表３－２可以看出，体系在加入ＭＰＳ和ＤＭＰＳ之后，电极电位产??生正向移动，并最终保持在加速电位，说明ＭＰＳ和ＤＭＰＳ都具有加速铜沉积的??作用。ＤＭＰＳ产生的平均电位差值大于ＭＰＳ的平均电位差值，证明ＤＭＰＳ的加??速作用更强；但是ＤＭＰＳ的响应时间远大于ＭＰＳ，这说明ＤＭＰＳ在溶液中扩散??并在阴极吸附和生效所需的时间更长。而ＳＨ１１０与ＴＰＳ相比，ＳＨ１１０的加速效??果更强但是响应时间相应更长，这说明ＳＨ１１０促进铜沉积的加速作用更大，但??是发挥作用所需的时间也相应更长。??而在第二组添加剂中，镀液在加入Ｎ之后电位先负向移动，然后慢慢向正??向移动，这说明Ｎ在阴极表面从吸附到发挥作用的过程是一个长效的过程，刚??加入加速剂的前期，Ｎ分子在阴极表面吸附，但是尚未发挥加速作用，反而影响??了铜离子的正常沉积，呈现出抑制作用，随着Ｎ开始逐渐发挥作用，电位逐渐??上升。除Ｎ以外的其他的加速剂则都呈现出单一的加速作用，对比ＭＢＴ与Ｍ??来看，Ｍ比ＭＢＴ的响应时间更短、引起的电位差值变化更大，这说明Ｍ的加??速性能更好。这与循环伏安法得到的结论一致。??－０．４３２??１?－０．４２０?????ＭＰＳ???ＳＨＩ１０???ＤＭＰＳ?ｉ?—?ＴＰＳ??－０．４５０?－?－０．４３２?＼??｜?视－＾?｜?－〇?ｗ?＼?〔???＾?｜?－?／??＿〇．５０４?－?Ｉｍｇ／Ｉ．?－０．４６

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【参考文献】：
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博士论文
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硕士论文
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本文编号：3467907