WO 3 氢致变色材料的制备

发布时间：2022-02-12 01:18

　　WO₃是一种非常典型的过渡金属氧化物半导体材料,因其价态的多样性和价电子构型的独特性而表现出特殊的光学、电学、力学性能,在电致变色、光催化、气体传感器、超级电容器以及太阳能电池等领域的应用显示出了极为优异的性能。通过沉淀法和水热法来制备掺杂三氧化钨粉体,并对样品的晶体结构进行性能分析和氢敏测试。通过XRD衍射分析得到,沉淀法制备出的粉体为H₂WO₄·H₂O,属于单斜晶系;水热法制备出的产物是WO₃·H₂O,属于正交晶系。掺杂的粉体均从淡黄色变为蓝色,而且对氢气的响应时间与掺杂的元素有关。掺钯的粉体的变色响应时间45s,掺铂的三氧化钨粉体变化的更明显。 

【文章来源】：化学与粘合. 2020,42(03)

【文章页数】：4 页

【部分图文】：

未处理的WO3粉体的XRD图（沉淀法）

掺杂Pd的WO3粉体的XRD图（沉淀法）

掺杂Pt的粉体的XRD图（沉淀法）

【参考文献】：
期刊论文
[1]纳米结构WO3薄膜气致变色特性研究进展及应用[J]. 王美涵,温佳星,彭洋,王新宇.  人工晶体学报. 2016(11)
[2]纳米片状WO3的水热合成及其NO2气敏性能[J]. 谢骥,胡校兵,龙建军,谢祯芳,朱志刚.  上海第二工业大学学报. 2016(02)
[3]氢敏变色材料[J]. 朱晓彤.  低温工程. 2008(02)
[4]氢敏材料的研究进展[J]. 侯长军,范小花,范瑛,唐一科.  电子元件与材料. 2006(10)
[5]掺杂氧化钨薄膜的电致变色特性[J]. 李建军,陈国平,刘云峰,黄蕙芬.  真空. 2001(02)

硕士论文
[1]三氧化钨氢敏材料的制备及其性能研究[D]. 吴银伟.武汉理工大学 2011



本文编号：3621176