电沉积氧化锌纳米柱的带隙和近带边发射蓝移

发布时间：2023-05-18 23:19

　　用电化学沉积方法制备了ZnO纳米柱阵列。在Zn(NO₃)₂基础电解液中加入新电解质并引入NH₄NO₃和Ga(NO₃)₃,实现了对ZnO纳米柱阵列的带隙、近带边发射、斯托克斯位移、直径、密度等物理性质的设计和裁剪。可在63～77 nm操控纳米柱的直径。增加电解液中的Ga(NO₃)₃浓度,阵列的密度可降低到7.0×10⁹/cm²。新加入电解液中的盐类使ZnO纳米柱的带隙蓝移～50 meV并使光致发光图谱中的近带边发射蓝移53～73 meV以及斯托克斯位移蓝移23 meV,表明可对其非辐射复合进行抑制设计和裁剪。

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
1 实验方法
    1.1 Zn O纳米柱阵列的制备
    1.2 Zn O纳米柱阵列的表征
2 实验结果和讨论
    2.1 Zn O纳米柱阵列的直径和密度
    2.2 Zn O纳米柱的透射反射性质及其光学带隙
    2.3 Zn O纳米柱的近带边发射蓝移和斯托克斯位移
3 结论



本文编号：3819197