石墨烯薄膜与半导体界面热输运规律

发布时间：2024-11-03 13:12

　　 界面热阻是影响热输运过程的关键因素,应用非平衡分子动力学方法研究石墨烯薄膜与半导体(硅、氮化镓)之间的热输运规律,研究温度、石墨烯层数对界面热输运过程的影响。通过声子态密度曲线,分析界面两侧声子的耦合程度,从而分析影响热输运的内部因素。结果表明:随着温度升高,硅与石墨烯之间的界面热导及氮化镓与石墨烯之间的界面热导均呈增加趋势,这主要是由于随着温度升高,原子间声子态密度的耦合程度增加;随着石墨烯层数增加,界面热导呈下降趋势,下降速度逐渐减弱;硅与石墨烯之间的界面热导小于氮化镓和石墨烯之间的界面热导值;随着温度升高,氮化镓基体与石墨烯之间界面热导值的增长幅度要大于硅基体与石墨烯之间界面热导的增长幅度。

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
1 理论基础
2 石墨烯薄膜与硅的界面热输运
    2.1 物理模型
    2.2 模拟过程
    2.3 模拟结果
        2.3.1 界面热导的温度效应
        2.3.2 石墨烯层数对界面热导影响
3 石墨烯薄膜与氮化镓的界面热输运
    3.1 物理模型
    3.2 模拟过程
    3.3 模拟结果
4 石墨烯界面热输运对比
5 结 论



本文编号：4011328