氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响

发布时间：2024-12-19 05:33

　　 采用电容结构研究了氟（F,Flourine）掺杂非晶薄膜漏电、击穿以及温度特性。结果表明,氟掺杂钝化了非晶膜中的缺陷和悬挂键,使非晶薄膜漏电降低两个数量级,同时使击穿电压升高。掺杂非晶薄膜的漏电与温度呈指数增长,增长系数为0.0375 K^-1,击穿电压随温度线性减小,系数为0.012 V·K^-1。

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【部分图文】：

图1 非晶硅平板电容结构

非晶薄膜电容面积为1440μm2，纵向结构如图1所示。采用PVD磁控溅射方法在衬底上分别生长金属电极和阻挡层、不同厚度的非晶硅薄膜以及下金属淀积和阻挡层，形成非晶薄膜电容结构，然后通过光刻、腐蚀等工序，完成非晶薄膜电容结构的制备。非晶薄膜的掺杂在上电极沉积前完成，采用氩携带气体的....

图2 3#样品掺氟非晶薄膜漏电流的温度特性

对3号非晶硅薄膜样本的温度特性进行研究，发现随着温度的升高，非晶硅薄膜击穿电压降低。非晶硅薄膜的漏电和击穿电压与温度呈指数关系，即薄膜漏电随温度的升高呈指数增加趋势，而薄膜击穿电压随温度升高呈指数减小，如表4所示。非晶硅薄膜漏电流与温度呈指数关系，如图2所示，非晶硅薄膜的击穿电压....

图3 3#样品掺氟非晶薄膜击穿电压的温度特性

图23#样品掺氟非晶薄膜漏电流的温度特性4结论

本文编号：4017739