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Sn基焊点多次回流界面反应机理及动力学研究

发布时间:2022-01-23 17:57
  电子产品微型化推动封装技术由二维(2D)向三维(3D)发展,而多次回流工艺是3D封装普遍应用的技术。现有研究大都将多次回流简单归结为一次回流焊处理,所获得的多次回流界面反应机制与实际偏差较大。本文应用同步辐射实时成像及高压吹扫技术,分离多次回流钎焊过程各个阶段,并结合相应模拟手段,深入研究钎料合金成分、回流工艺参数、气泡缺陷、焊点尺寸下钎焊液固反应过程界面金属间化合物(IMC)生长机理及动力学,清晰地揭示出各Sn/Cu体系钎焊界面反应过程,并建立多次回流界面IMC生长模型。论文获得主要结论如下:1.Sn/Cu焊点多次回流保温阶段,界面IMC生长控制机制逐渐从Cu晶界扩散转变为体扩散,动力学时间指数由1/3趋近1/2;冷却阶段,界面IMC受Cu沉积作用快速生长,动力学时间指数为1;再加热阶段,Cu溶解度改变使界面IMC发生部分溶解,动力学时间指数为1,与冷却阶段互逆;基于此,建立Sn/Cu体系多次回流界面IMC生长物理模型。Sn-xCu/Cu焊点中Cu浓度升高,界面IMC生长速率增大,晶界扩散对界面IMC生长贡献相对减小;Sn-xAg/Cu焊点中,Ag3Sn纳米颗粒吸附在界面IMC晶粒表... 

【文章来源】:大连理工大学辽宁省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:152 页

【学位级别】:博士

【部分图文】:

Sn基焊点多次回流界面反应机理及动力学研究


图1.1?3D电子封装的类别:⑻埋置型,(b)有原基板型,(c)叠层型_??Fig.?1.1?(a)?buried,?(b)?substrate-based?and?(c)?layered?3D?electronic?packaging?types[101??-2-??

电子封装,形式,叠层,裸芯片叠层


?大连理工大学博士学位论文???在三种封装方式中,叠层型3D电子封装的工艺技术能够应用于许多成熟的组装互??连技术,并发展了垂直互连技术,结构更加多元化,是半导体行业中应用最为广泛的一??种[1()]。叠层式三维封装主要包括硅圆片规模的叠层、裸芯片叠层和载体叠层三种形式(图??1.2),其中,硅圆片规模的叠层形式比较单一,在此仅对裸芯片叠层和载体叠层进行简??略介绍[11]。??

技术实现,电子产品,应用实例,间距


fabricated?by?14/I6nm?Fin-FET?process?AMD’s?graph?card?made?by?Hymx’s?HBM??图1.4电子产品中的3D电子封装技术应用实例t32]??Fig.?1.4?Production?examples?of?3D?electronic?packaging?technology?application^32]??A?four?stack?"?'.-_?;??^??wire-bonded??die?package?[.梦??,編.%魏焱??一「…r??muTOf<miw???B??Wirebonds?are?replaced?by?TSVs?^??I?Advantages:??Wire?一?TSV—J^^?懿??Microbumps—Bfe?■?-?Lo

【参考文献】:
期刊论文
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[3]微电子封装的发展历史和新动态[J]. 张翼,薛齐文,王云峰.  机械工程与自动化. 2016(01)
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博士论文
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硕士论文
[1]多次回流钎焊界面Cu6Sn5生长演变及影响因素[D]. 李霜.大连理工大学 2015
[2]钎焊界面气泡演变行为及对界面反应的影响[D]. 孙俊豪.大连理工大学 2015
[3]无铅焊球界面反应的体积效应研究[D]. 刘鲁潍.大连理工大学 2011



本文编号:3604882

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