电磁脉冲弹对典型电子器件的毁伤机理

发布时间：2020-06-27 02:30

【摘要】：进入21世纪以来,军用电子设备由综合化向集成化发展,武器系统的信息化和智能化大大提高,海、陆、空全覆盖的信息网络逐渐成为各国攻防的战略要地。各国已然将组建信息网络的各类电子系统作为攻击的首要目标,对各类电磁脉冲武器的研究逐渐的深入。本文主要针对电磁脉冲弹的毁伤机理展开研究,在借助matlab和origin分析了电磁脉冲弹的杀伤区域和威力的基础上,利用ISE-TCAD仿真软件对电磁脉冲弹对典型的电子器件的毁伤机理进行了电磁仿真分析,为下步研究提供了一定的理论计算思路和仿真参数。在本文的计算过程中,首先通过理论分析,计算了电磁脉冲弹爆炸后50米内脉冲信号的强弱规律;再通过ISE-TCAD进行电磁仿真,观察电磁脉冲弹对目标区域典型电子器件NMOS管的毁伤机理。通过观察发现,电磁脉冲弹爆炸所产生的电磁脉冲对目标区域NMOS器件的烧毁主要发生在漏、源区域与衬底的PN结处。在电磁脉冲作用下,器件内部的电场强度、电流密度和温度呈现了集中分布并在弯曲处达到峰值的规律,同时伴随信号的周期性变化,三者也在整体上升的趋势下,呈现周期性变化。另外对比不同幅值和频率参数的电磁脉冲的毁伤效应,可以发现电磁脉冲弹损毁电子器件的时间与脉冲的电压幅值成正比,与脉冲信号的频率成反比。最后,基于本文对电磁脉冲弹毁伤机理的研究成果,分析和讨论了其对电磁脉冲弹下一步研究及实战的指导作用。
【学位授予单位】：中北大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2016
【分类号】：TJ414.7

【参考文献】

相关期刊论文 前10条

1 任兴荣;柴常春;马振洋;杨银堂;;电磁脉冲作用下二极管二次击穿电热特性[J];西安电子科技大学学报;2013年02期

2 肖金石;刘文化;张世英;邢昌风;;爆磁压缩电磁脉冲弹的杀伤能力分析与仿真[J];弹道学报;2009年01期

3 宋扬;刘赵云;;电磁脉冲武器技术浅析[J];飞航导弹;2009年02期

4 宫健;王春阳;郭艺夺;;高功率微波武器作战效能建模及仿真[J];现代防御技术;2008年06期

5 盛兆玄;孙新利;;新型电磁脉冲导弹的发展动态[J];飞航导弹;2007年11期

6 贾春;刘环宇;;电磁脉冲弹的杀伤能力[J];火力与指挥控制;2006年08期

7 孙永军;电磁脉冲武器原理及其防护[J];空间电子技术;2004年03期

8 崔捷,顾志银;高能电磁武器的性能与威胁[J];陕西工学院学报;2004年01期

9 谭显裕;高功率微波新概念武器的技术现状和发展[J];航空兵器;2004年01期

10 石艳霞 ,王路;国外电磁炸弹性能分析[J];中国航天;2003年06期

相关硕士学位论文 前3条

1 刘成龙;电磁脉冲对天线系统的耦合效应研究[D];南京理工大学;2012年

2 马德晶;复杂金属腔体的屏蔽效能分析与天线耦合特性研究[D];上海交通大学;2010年

3 刘亿亮;半导体器件的高功率微波毁伤阈值实验技术研究[D];电子科技大学;2004年

本文编号：2731216