半导体桥火工品静电响应特性及其静电防护研究

发布时间：2021-02-16 02:30

　　本文研究了半导体桥（SCB）火工品的点火特性和SCB火工品在静电环境下的响应特性,并用PSpice软件对半导体桥静电作用过程进行模拟,研究了半导体桥火工品静电防护措施。具体如下：（1）从放电时刻光斑大小、放电曲线、压药压力等多个方面,比较了SCB火工品在电容放电和恒流源激励两种点火方式下的点火性能,掌握了SCB火工品在电容放电和直流点火两种不同激励方式下的点火规律。（2）研究有无药剂对半导体桥静电作用的影响,以及半导体桥在静电作用后性能劣化以及未劣化情况下,半导体桥的性能变化规律。（3）从桥面形状设计和防护器件两个方面研究了SCB火工品本征静电防护：增大半导体桥芯片尺寸、避免容易使电流密集的尖角等特征形状、并联电容以及TVS二极管；使用PSpice软件对半导体桥静电作用过程进行仿真模拟,为下一步静电防护模拟打下坚实基础。（4）探索了SCB火工品脚-壳间多种静电防护的途径。结果表明,管壳与脚线之间涂导电胶,在半导体桥陶瓷塞上设计泄放通道,都可以达到防静电效果；针对脚-壳间放电的薄弱环节,加大了焊锡点与管壳顶端的绝缘材料,增加了焊锡点与管壳侧面距离,防静电效果显著。 

【文章来源】：南京理工大学江苏省 211工程院校

【文章页数】：73 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
摘要
Abstract
1 绪论
    1.1 研究的目的及意义
    1.2 半导体桥火工品的研究进展
        1.2.1 SCB的研究现状
        1.2.2 半导体桥点火性能研究进展
    1.3 半导体桥静电放电特性及静电防护研究现状
        1.3.1 静电放电及危害
        1.3.2 SCB静电放电特性研究现状
        1.3.3 SCB静电防护研究现状
    1.4 PSpice软件简介
        1.4.1 PSpice的基本组成
        1.4.2 PSpice电路仿真的基本步骤
    1.5 本文的主要研究内容
2 不同激励方式下半导体桥点火性能对比
    2.1 半导体桥点火实验原理及方法
    2.2 电压电流曲线的比较
    2.3 发火光斑及桥区变化的比较
    2.4 压药压力的影响
    2.5 药剂影响
    2.6 小结
3 半导体桥静电损伤特性研究
    3.1 半导体桥静电放电实验原理及方法
    3.2 SCB与SCB火工品ESD作用后的差异
    3.3 SCB耐受ESD作用劣化前后的差异
        3.3.1 电阻变化
        3.3.2 点火性能的变化
    3.4 不同形状SCB耐受ESD作用的差异
    3.5 本章小结
4 半导体桥火工品脚-脚间静电防护研究
    4.1 改变半导体桥芯片尺寸大小对静电防护的贡献
        4.1.1 半导体桥临界爆发电压的理论计算
        4.1.2 MSCB与中型桥的比较
    4.2 改变半导体桥芯片形状对静电防护的贡献
    4.3 电子元器件对SCB火工品脚—脚间静电防护的贡献
        4.3.1 电容抗静电加固
        4.3.2 TVS二极管抗静电加固
    4.4 半导体桥脚—脚间静电防护模拟
        4.4.1 搭建测试电路
        4.4.2 半导体桥子电路
        4.4.3 对测试电路进行模拟仿真
    4.5 本章小结
5 半导体桥火工品脚-壳间静电防护研究
    5.1 泄放通道对静电防护的影响
    5.2 “堵”防静电方式研究
    5.3 本章小结
结论
致谢
参考文献
附录



本文编号：3035986