半导体桥火工品静电危害特性研究

发布时间：2021-09-23 12:44

　　为了探索半导体桥（SCB）火工品在静电环境下的作用机理、易损特性和评估方法等,为SCB的静电防护提供有效的参考依据,使其更好的适应日益复杂的电磁环境,本文就静电脉冲对典型半导体桥（TSCB）和微型半导体桥（MSCB）的影响进行了研究。具体如下：（1）研究了静电作用下判别SCB失效的判据,主要包括：微光显微镜（EMMI）、烧蚀面积、I-V曲线和电阻变化等。（2）通过ESD作用前后半导体桥的点火实验,对点火时间和点火能量进行t-检验,得到：TSCB承受静电放电电压阈值为22kV,MSCB的失效阈值电压为14kV。（3）通过D-最优点火实验,得到：静电作用后TSCB和MSCB的全发火电压降低,电流峰值对应时间延迟,说明静电作用使得桥的感度提高,点火可靠性下降；在等离子体点火情况下,静电作用后的TSCB和MSCB,其形成等离子体的电压二次峰延后,非等离子体点火时,TSCB的峰值电压和峰值电流延后,而MSCB的峰值电压和峰值电流基本不变；随着静电电压的增大,静电作用后TSCB的I-V曲线斜率变小,而MSCB的I-V曲线斜率变大；模拟人体静电放电对TSCB和MSCB作用,发火概率为0,表明人体静电... 

【文章来源】：南京理工大学江苏省 211工程院校

【文章页数】：68 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

半导体桥的制造工艺流程

量低、安全性好、作用快、工艺一致性好等，随着温度的升高，一方面导电粒子的浓度次数增多有碍导电[’6]，这两种因素相互制约，但是随着温度的上升，导电粒子的浓度呈始下降，从而使半导体电阻呈现负温度系数负温特性，温度升高，电阻下降，故当电流大的电流流过该区域【’7〕，从而最高温度区将程就导致了边缘汽化效应。电离能熔点是1410oC，而桥丝(通常为镍铬合金

基本上不能很准确的反映出电火工品受到破坏的程度。2006年，李淦[36l等人采用新型白光光纤温度传感器对电火工品的电磁脉冲危害进行测试，测量系统原理图如图1.4所示。班班玲 玲 汗公形努矛咐哈洪小食食摹霎{蓦…襄 襄仁仁探头头头鑫 鑫一解调器丫 丫 丫丫妙烤琳 琳琳拼 拼拼拼拼拼拼 拼衬 衬 衬 衬衬昌 昌昌昌 昌 昌 昌 昌昌:::姗弓 弓 ，一扮么，召之去 去 去豁豁武 _____一一一一一一一一一一一一一一一数据来集卡卡 打打印机 -------------------图1.4测试系统原理图测量系统由光纤探头、光纤调理器和测控软件组成，首先系统自带光源发出白光，经祸合进入光纤并传输到探头，探头通过感应桥丝的温度变化进行相关波长调制，之后调制光沿同一光纤反射传输到祸合器，再经另一光纤传输到光纤解调器，信号经处理、转换后，以模拟量输入到计算机中。该系统的关键元件为光纤探头，实际测量时桥丝和探头的位置如图1.5所示。

【参考文献】：
期刊论文
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硕士论文
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本文编号：3405729