flash芯片SMT焊点抗高g值冲击性能分析

发布时间：2019-05-29 08:51

【摘要】：电子产品中电路板与芯片之间的焊点尺寸越来越小,在机械震动冲击过程中,焊点连接处是最容易被损坏的部位,为了研究机械震动冲击时SMT焊点抗高g(重力加速度约为10 m/s2)值冲击性能,利用霍普金森杆(Hopkinson bar)激光干涉仪对两片未灌封的动态参数测试的核心存储flash芯片的SMT焊点进行了抗高g值冲击性能试验.结果表明,flash芯片SMT焊点在无多次冲击情况下,可以抗高达1.3×105g的冲击加速度,在累积冲击情况下,SMT焊点的抗冲击加速度幅值能力迅速减弱.
[Abstract]:In electronic products, the size of solder joint between circuit board and chip is getting smaller and smaller. In the process of mechanical vibration impact, solder joint is the most easily damaged part. In order to study the impact resistance of SMT solder joint to high g (gravity acceleration about 10 m/s2) during mechanical vibration shock, The high g impact resistance of SMT solder joints of two unsealed flash chips was tested by using Hopkinson rod (Hopkinson bar) laser interferometer. The results show that the SMT solder joint of flash chip can resist up to 1.3 脳 105 g impact acceleration in the absence of multiple shocks, and the amplitude ability of impact acceleration resistance of SMT solder joint decreases rapidly in the case of cumulative impact.
【作者单位】： 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室;苏州大学机电工程学院;
【分类号】：TN405;TG407

【参考文献】

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【共引文献】

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