Kilopass推出颠覆DRAM产业的VLT技术

发布时间：2017-11-05 05:35

  本文关键词：Kilopass推出颠覆DRAM产业的VLT技术

  更多相关文章： 非易失性存储器 美国硅谷 物联网 数字移动 Kilopass VLT 平板电脑 存储单元 读写速度 存储器性能

【摘要】：正2016年移动电话、平板电脑数量增长缓慢,其背后的数字移动芯片市场的发展逐渐低迷,而随着物联网的兴起,服务器/云计算市场却需求巨大,这其中就包含500亿美元的DRAM市场,新的存储技术正在加速向云计算迁移。Kilopass这家在美国硅谷的技术公司则开辟了嵌入式非易失性存储器的新领域,此次他们带来了革命性的VLT技术,改变了目前发展单一的DRAM产业格局。
【分类号】：TP333
【正文快照】： 2016年移动电话、平板电脑数量增长缓慢,其背后的步伐,而VLT技术则可以改变这一困境。数字移动芯片市场的发展逐渐低迷,而随着物联网的兴此外,VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期,基于起,服务器/云计算市场却需求巨大,这其中就包含500亿VLT的DDR4DRAM将待机功耗降低了10倍,可降

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 Agostino Pirovano;Roberto Bez;;面向纳电子时代的非易失性存储器[J];电子设计技术;2010年03期

2 Antony Watts;;正确选择非易失性存储器[J];电子设计技术;1996年06期

3 ;意法半导体在非易失性存储器开发中取得进步[J];世界电子元器件;2004年07期

4 R．Arghavani;V．Banthia;M．Balseanu;N．Ingle;N．Derhacobian;S．E．Thompson;;应变工程在非易失性存储器中的应用[J];集成电路应用;2006年06期

5 ;美国研发出加密硬件可以确保非易失性存储器应用安全[J];广西科学院学报;2012年02期

6 叶发;非易失性存储器在二十一世纪的问题、挑战和发展趋向[J];世界电子元器件;1997年03期

7 王耘波 ,李东 ,郭冬云;几种新型非易失性存储器[J];电子产品世界;2004年03期

8 杨晋中;非易失性存储器:在二十一世纪的问题、挑战和发展趋势[J];电子产品世界;1997年02期

9 Gary Evan Jensen;MRAM即将步入实用阶段[J];今日电子;2004年10期

10 高平;徐永富;吴小伟;;基于智能控制器的非易失性存储器的设计研究[J];低压电器;2009年03期

中国重要会议论文全文数据库 前2条

1 PeterW.Lee;;关注非易失性存储器IP及其在消费类,通信类及无线电子产品中的应用[A];2003中国通信专用集成电路技术及产业发展研讨会论文集[C];2003年

2 高旭;佘小健;刘杰;王穗东;;有机纳米浮栅型非易失性存储器[A];中国化学会第29届学术年会摘要集——第17分会：光电功能器件[C];2014年

中国重要报纸全文数据库 前7条

1 Mastipuram;非易失性存储器发展趋势[N];电子资讯时报;2008年

2 刘霞;加密硬件可确保非易失性存储器应用安全[N];科技日报;2011年

3 ;非易失性存储器:比闪存快100倍[N];科技日报;2011年

4 赵效民;非易失性存储器的变革（上）[N];计算机世界;2003年

5 MCU;SEMATECH介绍在非易失性存储器方面取得新的突破[N];电子报;2009年

6 本报记者 郭涛;企业级SSD既快又省[N];中国计算机报;2013年

7 赵效民;闪存与时俱进[N];计算机世界;2004年

中国硕士学位论文全文数据库 前10条

1 程鹏;基于半侵入式侵入式攻击的非易失性存储器内容提取研究[D];清华大学;2015年

2 黄科杰;基于标准CMOS工艺的非易失性存储器的研究[D];浙江大学;2006年

3 胡小方;基于忆阻器的非易失性存储器研究[D];西南大学;2012年

4 李健;非易失性存储器的能耗研究[D];重庆大学;2015年

5 曹正义;新型非易失性存储器的原子层沉积技术制备及其存储性能的研究[D];南京大学;2015年

6 邱浩鑫;非易失性存储器IP的功能研究与设计[D];电子科技大学;2010年

7 孙锐;基于氧化锌纳米材料的阻变存储器研究[D];浙江大学;2015年

8 刘丽娟;SONOS结构非易失性存储器性能研究[D];华东师范大学;2013年

9 周群;深亚微米SONOS非易失性存储器的可靠性研究[D];华东师范大学;2011年

10 曾柏文;氧化钛薄膜的阻变性能研究[D];湘潭大学;2015年

，

本文编号：1142838