纳米针尖对阻变存储器性能改善的研究

发布时间：2017-11-11 06:09

  本文关键词：纳米针尖对阻变存储器性能改善的研究

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【摘要】：随着大规模集成电路技术的持续发展,来自量子隧穿和电容耦合效应等问题的挑战使得传统Flash存储器技术难以满足摩尔定律的发展,在后摩尔时代采用新型非挥发性存储技术成为必然。基于电阻转变机制的新型非挥发存储器越来越多地受到工业界和学术界的关注。近些年,阻变存储器技术取得了迅速发展,但是在该领域还存在一些关键性的问题没有解决,如：不明确的电阻转变机制以及其内部的载流子输运机制、较差的转变参数离散性、较高的功耗以及阵列集成中的漏电问题等。本文在改善转变参数的离散性方面进行了探索与研究。主要工作包括：(1)研究了工艺参数对于法刻蚀形貌的影响。利用ICP刻蚀制备了可用于RRAM器件制作的纳米针尖,针尖尖端直径为13.51 nm。(2)制备了平面结构及针尖结构两种器件,对两种器件的SET电压、SET电流、RESET电压、RESET电流、Roff、Ron等参数分别作了Weibull统计分布并进行了对比。结果表明利用纳米针尖改善RRAM器件的方法是可行的。
【学位授予单位】：北京化工大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2016
【分类号】：TP333

【参考文献】

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1 王永;管伟华;龙世兵;刘明;谢常青;;阻变式存储器存储机理[J];物理;2008年12期

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本文编号：1170131