一种联苯型聚酰亚胺阻变存储器的制备及性能

发布时间：2017-11-26 18:07

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【摘要】：以芳香长链二胺2,2-双(4-氨基苯氧基苯基)丙烷和3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐为原料,通过溶液缩聚法合成聚酰胺酸溶液,采用旋涂法将聚酰胺酸涂于ITO玻璃上,经亚胺化获得一种联苯型聚酰亚胺薄膜作为功能层,制备出一种有机阻变存储器。对该联苯型聚酰亚胺进行结构表征并研究其热稳定性,采用伏安特性分析仪研究有机阻变存储器的阻变存储性能。结果表明:合成的联苯型聚酰亚胺具有良好的热稳定性;制备的有机阻变存储器具有良好的阻变性能及耐疲劳性能。
【作者单位】： 广西电子信息材料构效关系重点实验室桂林电子科技大学材料科学与工程学院;
【基金】：广西电子信息材料构效关系重点实验室自主研究基金(131015-Z) 桂林电子科技大学-桂林电器科学研究院研究生联合培养基地专项经费(20141103-16-Z)
【分类号】：O633.22;TP333
【正文快照】： 0引言21世纪,信息化高速发展,要求存储器具有超高密度存储功能。传统的无机存储器如光盘、磁盘等,已达到存储能力的极限,无法满足超高密度信息的存储要求。基于聚合物薄膜的有机阻变存储器(resistive random access memory,RRAM)的存储模式是一种全新的模式。其存储机理是在外

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本文编号：1230662