高分子忆阻材料的设计、制备和神经突触仿生研究进展

发布时间：2017-12-16 23:06

  本文关键词：高分子忆阻材料的设计、制备和神经突触仿生研究进展

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【摘要】：自从1971年加州大学伯克利分校电子理论家蔡少棠教授提出忆阻器(又称"记忆电阻",第四种电路元件)假设后,引起了材料科学家和固体物理学家的极大的研究兴趣。作为一种在计算机数据存储和神经运行领域具有广泛潜在应用价值的非线性动态电子器件,其影响可以追溯到发明电阻器、电容器、电感器之前。与生物大脑的神经突触类似,忆阻器兼具记忆和逻辑运算的功能。本文综述了近年来高分子忆阻材料的合成和生物神经突触模拟研究进展。利用不同的前、后突触刺激可以模拟神经突触展现的一些诸如短期/长期可塑性(STP/LTP)、尖峰时间相关的可塑性(STDP)、穗率相关塑性(SRDP)和"学习-记忆-遗忘"等基本功能。大量研究结果已经表明:材料体系的电荷转移与传输、分子间弱相互作用、材料分子结构、聚集态结构、薄膜微结构和电输运特性等因素对材料忆阻效应有显著影响。
【作者单位】： 华东理工大学化学与分子工程学院教育部结构可控先进功能材料及其制备重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金重点基金(51333002) 青年基金(21404037) 教育部博士点基金(20120074110004) 浦江人才计划(16PJ1402400) 中央高校基金(WJ1514311)
【分类号】：TP333;TQ317
【正文快照】： 诸如随机存取存储器(RAM,包括动态随机存储器DRAM和静态随机存储器SRAM)、先进先出存储器(FIFO)、先进后出存储器(FILO)、只读存储器(ROM)和闪存(Flash memory)等存储器件构建了现代信息技术的核心和基础。其中RAM、FIFO、FILO存储器的共同点是具有读写功能,断电后失去存储的

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