测量I-V特性分析阻变存储器的导电机制

发布时间：2017-12-28 17:13

本文关键词：测量I-V特性分析阻变存储器的导电机制　出处：《大学物理实验》2016年04期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：介绍了阻变存储器及其I-V特性的测试分析方法。通过测量三明治结构的阻变存储器的I-V特性,采用多种拟合方法,与导电机制原理对比,可以判断器件的导电机制,便于深入分析阻变机理。
[Abstract]:This paper introduces the test and analysis method of the resistive memory and its I-V characteristics. By measuring the I-V characteristics of the resistive memory of sandwich structure, using a variety of fitting methods and comparing with the conduction mechanism principle, we can identify the conductive mechanism of the device and facilitate the in-depth analysis of the mechanism of the resistive change.
【作者单位】：岭南师范学院;
【基金】：国家星火计划(2015GA780058) 广东高校青年人才创新计划(2014KQNCX188) 岭南师范学院博士专项(ZL1503)
【分类号】：TP333
【正文快照】： 1阻变随机存储器简介近年来,非易失性存储器(NVM:non-volatilememory)由于其高密度、高速度和低功耗的特点,在存储器的发展当中占据着越来越重要的地位。硅基flash存储器作为传统的NVM器件,已被广泛投入到可移动存储器的应用当中。但是,工作寿命、读写速度的不足,写操作中的高

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