0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究

发布时间：2018-01-19 00:19

  本文关键词： CMOS电路 脉冲激光 剂量率翻转 翻转阈值 特征尺寸　出处：《原子能科学技术》2014年11期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。
[Abstract]:The instantaneous dose rate effect experiments of ultra-deep sub-micron CMOS inverter and CMOS static random access memory are carried out using pulsed laser source and pulse X-ray source. The instantaneous dose rate effect of CMOS circuit is measured. Compared with the instantaneous dose rate effect of the micrometer circuit, the results show that, for the CMOS circuit. The effect of the reduction of characteristic size on the anti-instantaneous dose rate performance is related to the scale of the circuit. The anti-instantaneous dose rate performance of 0.18 渭 m CMOS inverters is much better than that of micron inverters. However, the anti-instantaneous dose rate performance of 0.18 渭 m CMOS static random access memory is much lower than that of micron and sub-micron memory.
【作者单位】： 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室;
【分类号】：TP333
【正文快照】： 超深亚微米集成电路以其高性能和高集成度等特点,广泛应用于电子系统。但随着特征尺寸的缩小、电路灵敏体积的减小、临界电荷的下降、寄生晶体管放大倍数的增加、布线电阻的增大等,导致大规模集成电路在辐射环境中出现与以前中小规模集成电路不同的瞬时剂量率效应现象、特点和

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1441816