NROM存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性

发布时间：2018-01-19 00:21

  本文关键词： NROM存储器 SONOS存储器 总剂量辐射 退火特性 电荷泵 灵敏放大器　出处：《核技术》2015年01期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模集成电路测试系统测试了NROM的DC、AC、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。测试结果表明:界面态陷阱电荷引起了电路模块中的电荷泵和灵敏放大器MOS管阈值漂移,进而性能恶化、器件功能失效。退火期间由于界面态陷阱电荷没有发生大量退火,致使电路模块性能没有完全恢复,电流参数没有明显下降。
[Abstract]:Cobalt source radiation and annealing experiments were performed on a commercial NROMN Nitride-Read-Only-memorymemory. The total dose effect and annealing characteristics of NROM were studied. The NROM NROM functional parameters were tested by using a very large scale integrated circuit (VLSI) test system. The variation of radiation-sensitive parameters in the process of radiation and annealing is analyzed. The experimental results show that the interface state trap charge causes the threshold drift of the charge pump and the sensitive amplifier MOS tube in the circuit module, which leads to the deterioration of the performance. During annealing, the interface state trap charge does not occur a large amount of annealing, resulting in the circuit module performance is not fully restored, and the current parameters do not decrease significantly.
【作者单位】： 新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;新疆电子信息材料与器件重点实验室;
【分类号】：TP333
【正文快照】： 非易失型存储器具有在线可编程、存储信息掉电不丢失、读写速度高、抗震动性好等优势,使其在航天器中具有广泛应用。主流的浮栅型非易失存储器在宇宙空间中没有很强的抗辐射能力[1],会影响航天器的可靠性和在轨寿命[2]。SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)存储器以其，

本文编号：1441826