基于氧化钨的8 Mb高密度阻变存储器设计

发布时间：2018-02-02 05:31

  本文关键词： 阻变存储器 写驱动 灵敏放大器　出处：《微电子学》2014年02期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：设计了一款基于氧化钨的8Mb高密度阻变存储器,采用单晶体管开关、单电阻(1T1R)的存储器单元结构,设计了完整的存储单元、行列译码器、写驱动和灵敏放大器等关键模块。存储器芯片采用HHNEC 0.13μm 1P8M CMOS工艺流片。仿真结果表明,在8F2的高密度存储单元面积下,该存储器可实现准确的数据写入和读出功能。
[Abstract]:An 8Mb high density resistive memory based on tungsten oxide is designed, which uses a single transistor switch and a single resistor 1T1R) memory cell structure. A complete memory cell and a row decoder are designed. The memory chip adopts HHNEC 0.13 渭 m 1P8M CMOS technology. The simulation results show that. Under the high density memory cell area of 8F2, the memory can realize accurate data writing and readout function.
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;
【基金】：国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2011AA010403)
【分类号】：TN432;TP333
【正文快照】： 1引言近年来,随着半导体制造工艺水平的不断提高,非易失性存储器在集成度、存取速度、存储容量等方面得到极大的发展。目前,主流的闪存(Flash)技术在32nm工艺下遇到不可突破的瓶颈。因此,寻找一种新的存储机制来替代闪存技术成为存储器发展的必然趋势。在多种新型存储技术中,

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：1483739