2017年中国将推出国产32层堆栈3D NAND闪存

发布时间：2018-03-08 01:23

  本文选题：NAND　切入点：存储芯片　出处：《集成电路应用》2016年11期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：正由于智能手机、SSD市场需求强烈,闪存、内存等存储芯片最近都在涨价,这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中,存储芯片是最优先的,也是全国各地都争着上马的项目,其中国家级的存储芯片基地在武汉,投资超过240亿美元,此项目之前是新芯科技主导,现在已经变成了紫光公司主导。预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存,而且是32层堆栈的,起点不算低。
[Abstract]:Because of the strong demand for smart phone SSD, flash memory, memory and other memory chips have been increasing recently, which also gives Chinese companies an opportunity to intervene in the memory chip market. In China's plans to develop the semiconductor industry, memory chips are the top priority. There is also competition from all over the country for the start of the project, in which the state-level storage chip base in Wuhan, with an investment of more than 24 billion US dollars, was previously dominated by the new core technology. It is now dominated by Ziguang, which is expected to officially launch its own 3D NAND flash memory on 2017, with a 32-layer stack, starting from a good start.
【作者单位】： SICA;
【分类号】：TP333

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本文编号：1581809