非易失性突触存储阵列及神经元电路的设计

发布时间：2018-03-13 10:14

  本文选题：神经元　切入点：突触　出处：《微电子学与计算机》2017年11期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：传统的神经形态芯片一般采用SRAM阵列来存储突触权重,掉电后数据会丢失,且只能通过单一地址译码进行存取,不利于突触权重的更新.为此,本文基于40nm先进工艺并结合嵌入式相变存储器设计了一种非易失性突触存储阵列及神经元电路,为神经元的突触权重存储和更新提供了一种有效、高速和低功耗的解决方案.
[Abstract]:Neuromorphic chips commonly used in the traditional SRAM array to store the synaptic weights, power down data will be lost, and only through a single address decoding access, is not conducive to the synaptic weights update. Therefore, this paper advanced 40nm technology with embedded memory is a nonvolatile memory array and synaptic neuron circuit is designed based on for the neuronal synaptic weights are stored and updated to provide an effective solution, high speed and low power consumption.

【作者单位】： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;上海新储集成电路有限公司;
【基金】：国家自然科学基金(61076121,61176122,61106001,61261160500,61376006) 中国科学院战略性先导科技专项(XDA09020402) 国家重点基础研究发展计划(2013CBA01904,2013CBA01900,2010CB934300,2011CBA00607,2011CB932804) 国家集成电路重大专项(2009ZX02023-003)
【分类号】：TP333

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本文编号：1605937