抗单粒子翻转的双端口SRAM定时刷新机制研究

发布时间：2018-03-21 14:37

  本文选题：双端口SRAM　切入点：定时刷新　出处：《微电子学》2015年04期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：在空间辐射环境下,存储单元对单粒子翻转的敏感性日益增强。通过比较SRAM的单粒子翻转效应相关加固技术,在传统EDAC技术的基础上,增加少量硬件模块,有效利用双端口SRAM的端口资源,提出了一种新的周期可控定时刷新机制,实现了对存储单元数据的周期性纠错检错。对加固SRAM单元进行分析和仿真,结果表明,在保证存储单元数据被正常存取的前提下,定时刷新机制的引入很大程度地降低了单粒子翻转引起的错误累积效应,有效降低了SRAM出现软错误的概率。
[Abstract]:In the environment of space radiation, the memory cell is more sensitive to single particle flip. By comparing the single particle flip effect correlation reinforcement technology of SRAM, a small number of hardware modules are added on the basis of traditional EDAC technology. Using the port resource of dual-port SRAM effectively, a new periodic controllable timing refresh mechanism is proposed, and the periodic error correction of memory unit data is realized. The analysis and simulation of the strengthened SRAM unit show that, On the premise that the memory cell data is accessed normally, the introduction of timing refresh mechanism greatly reduces the error accumulation effect caused by single particle flipping, and effectively reduces the probability of soft errors in SRAM.
【作者单位】： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学;
【分类号】：TP333

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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