闪存阵列的可重构策略
本文选题:闪存 切入点:固态存储 出处:《国防科技大学学报》2015年01期
【摘要】:利用低延迟、低功耗、高可靠的闪存芯片构建闪存存储阵列是实现高性能存储系统的有效手段。但应用传统磁盘阵列技术构建闪存存储阵列,会引入磨损均衡、校验数据更新频繁导致阵列生命周期降低等问题。针对闪存固有的读写特性,设计实现了一种基于NAND Flash的高性能磁盘阵列机制——基于缓存的可重构磁盘阵列策略。该机制采用可重构条带的思想,利用存储等级的内存作为缓存,对数据顺序重组。实验结果表明:该策略能够有效降低垃圾回收开销,提高闪存阵列的性能和使用寿命。
[Abstract]:The use of low delay, low power consumption, high reliability of flash memory chip flash storage array is an effective way to realize the high performance storage system. But the application of flash storage array of traditional disk array technology, will introduce the wear leveling, check data updates frequently lead to problems of array life cycle reduced. Flash memory for inherent reading and writing characteristics, design to achieve a high performance disk array based on Mechanism of NAND Flash -- a reconfigurable cache disk array. The mechanism of the strategy based on the thought reconstruction bands, using storage class memory as cache of data sequence reorganization. The experimental results show that the method can effectively reduce the garbage collection overhead, improve the performance of flash memory array and the service life.
【作者单位】: 国防科技大学计算机学院;
【基金】:国家973计划资助项目(2012AA01A301) 国家自然科学基金资助项目(61202118)
【分类号】:TP333
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本文编号:1654606
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